SDCW2012H-2-121TF是一款由Sussumu公司生产的高精度薄膜片式电阻器,属于其SDCW系列的高性能产品。该电阻器采用先进的薄膜制造工艺,具有出色的电气性能和稳定性,适用于对精度、温度系数和长期可靠性要求较高的应用场合。SDCW2012H系列是2012尺寸(即0805英制封装)的高精度薄膜电阻,广泛用于精密测量设备、医疗仪器、工业控制、通信系统以及高端消费电子产品中。该型号中的‘-2-121TF’表示其具体阻值、公差及特殊特性,其中‘121’代表阻值为121Ω,‘TF’通常表示薄膜技术。这款电阻器具备低温度系数(TCR)、高长期稳定性和优异的耐湿性,能够在严苛的工作环境中保持稳定的性能表现。此外,它还具有良好的焊接可靠性和抗热冲击能力,适合回流焊和波峰焊等多种贴装工艺。由于其优异的性能指标,SDCW2012H-2-121TF常被用于替代传统厚膜电阻,在需要更高精度和更低噪声的应用中发挥重要作用。
型号:SDCW2012H-2-121TF
制造商:Sussumu
封装尺寸:2012(公制)/0805(英制)
阻值:121 Ω
阻值公差:±0.5%
温度系数(TCR):±5 ppm/°C
额定功率(+70°C):0.1 W(1/10 W)
最高工作电压:200 V
最大过载电压:400 V
工作温度范围:-55°C ~ +155°C
存储温度范围:-55°C ~ +155°C
基板材料:高纯度陶瓷
电阻膜材料:镍铬(NiCr)合金薄膜
端电极结构:内部Ag / 外部Sn
符合标准:AEC-Q200(部分批次支持),RoHS合规,无铅可焊
SDCW2012H-2-121TF的核心优势在于其采用的先进薄膜沉积技术,这种技术通过真空溅射的方式在高纯度陶瓷基板上形成均匀的镍铬(NiCr)合金电阻层,从而实现极高的阻值精度和极低的温度漂移。其温度系数(TCR)仅为±5ppm/°C,这意味着在环境温度变化时,电阻值的变化非常微小,确保了电路在宽温范围内仍能维持高精度运行。这对于精密放大器、参考电压源、桥式传感器信号调理等对稳定性要求极高的应用场景至关重要。
该器件的阻值公差为±0.5%,远优于普通厚膜电阻常见的±5%或±1%水平,使得在批量生产中无需额外校准即可保证系统一致性。同时,由于薄膜结构致密且化学性质稳定,SDCW2012H-2-121TF表现出卓越的长期稳定性,年漂移率低于0.1%,有效延长了设备的使用寿命并降低了维护成本。
在电气性能方面,该电阻具有低噪声、低电感和优良的高频响应特性,适合用于高速信号链路和模拟前端设计。其耐湿性强,经过严格的稳态湿热测试(如85°C/85%RH持续1000小时),阻值变化仍控制在极小范围内,适用于高湿度或户外环境下的电子设备。此外,其端电极为多层结构设计,内层为银导电层,外层为锡覆盖,既保证了良好的可焊性,又防止了银离子迁移导致的短路风险。
机械方面,该器件具备良好的抗热冲击能力,可承受多次回流焊过程而不影响性能,兼容无铅焊接工艺(最高耐受260°C峰值温度),满足现代绿色电子制造的需求。整体结构坚固,适用于自动化贴片生产线,提升了组装效率和产品良率。
SDCW2012H-2-121TF因其高精度、低温度系数和高稳定性,广泛应用于对电气性能要求严苛的高端电子系统中。在工业自动化领域,它常用于精密电流检测、称重传感器信号调理和PLC模块中的分压网络,确保控制系统采集数据的准确性与重复性。在医疗电子设备中,如心电图机(ECG)、血糖仪和病人监护仪,该电阻被用于前端模拟信号链,保障微弱生理信号的精确放大与转换,避免因元件漂移造成诊断误差。
在测试与测量仪器方面,例如数字万用表、示波器和源测量单元(SMU),SDCW2012H-2-121TF作为基准电阻或反馈网络的一部分,有助于提高仪器的整体测量精度和温度稳定性。在通信基础设施中,包括基站射频模块和光传输设备,该电阻可用于偏置电路、阻抗匹配和功率监测,支持高频信号的稳定处理。
此外,在汽车电子系统中,尤其是满足AEC-Q200标准的版本,可用于车载传感器接口、电池管理系统(BMS)和ADAS相关控制单元,提供可靠的电阻解决方案。在高端消费类电子产品中,如高保真音频放大器和专业级摄像设备,该器件也有应用,用于优化音质和图像信号处理的精度。总之,凡是对电阻精度、稳定性和可靠性有高要求的场景,SDCW2012H-2-121TF都是理想选择。
RC0805FR-07121RL
SRN1005-BZ-121KT5