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FDS6294-NL. 发布时间 时间:2025/8/24 8:33:20 查看 阅读:8

FDS6294-NL 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双N沟道功率MOSFET,常用于电源管理和开关应用。该器件采用紧凑的SOIC-8封装,适用于多种高效能和高密度电源设计。FDS6294-NL 在低电压应用中表现出色,具有低导通电阻和优异的热性能,使其成为DC-DC转换器、负载开关和电机控制等领域的理想选择。

参数

类型:功率MOSFET
  沟道类型:双N沟道
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):4.4A(@Vgs=10V)
  导通电阻(Rds(on)):50mΩ(@Vgs=10V)
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:SOIC-8

特性

FDS6294-NL 具备多个优异的电气和热性能特点。其双N沟道MOSFET结构允许在同一封装中实现两个独立的高效率开关,从而减少电路板空间和组件数量。该器件的低导通电阻(Rds(on))仅为50mΩ,显著降低了导通损耗,提高了整体系统效率。此外,FDS6294-NL 支持高达4.4A的连续漏极电流,适用于中高功率应用。该MOSFET具有高栅极电压容限(±20V),增强了在不同驱动条件下的可靠性。采用SOIC-8封装,具备良好的散热性能,确保在高负载条件下仍能稳定运行。此外,FDS6294-NL 符合RoHS环保标准,适用于现代绿色电子设备的设计。

应用

FDS6294-NL 广泛应用于各种电源管理系统和开关电路中。典型应用包括同步整流DC-DC转换器、电池供电设备、负载开关、电机驱动器和电源管理单元。由于其高效率和小尺寸封装,该器件特别适合用于空间受限且需要高效能表现的便携式电子设备,如笔记本电脑、平板电脑和工业控制系统。此外,在汽车电子系统中,如车载充电器和车身控制模块,FDS6294-NL 也表现出色。

替代型号

FDS6680、FDMS6680、Si2302DS、AO3400

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