SDC49EJTR-E1 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电源管理应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功耗并提高系统效率。它通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等场景。
类型:MOSFET
封装:TO-252 (DPAK)
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):4mΩ
栅极电荷(Qg):27nC
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
开关速度:快速
SDC49EJTR-E1 的主要特点是其超低的导通电阻,仅为 4mΩ,这使得它在高电流应用中表现出色。此外,它的栅极电荷较低,仅为 27nC,从而实现了快速开关性能,减少了开关损耗。
该器件还具有出色的热稳定性,能够在 -55°C 至 +175°C 的宽温范围内可靠运行。其 TO-252 封装形式便于安装,并且提供了良好的散热性能。
由于其优异的电气特性和可靠性,SDC49EJTR-E1 在功率转换和电机控制领域得到了广泛应用。
SDC49EJTR-E1 主要应用于需要高效功率切换的场合,例如:
- 开关模式电源(SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电池管理系统(BMS)
- 电动工具中的电机驱动
- 汽车电子系统的负载开关
- 工业设备中的功率管理模块
SDC49EJTR-E2, SDC49EJTR-E3, SDC49EJTR-D1