SDC49EJTR-E1 时间：2025/6/4 8:38:03 阅读：22

SDC49EJTR-E1 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于多种电源管理应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提高系统效率。它通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动等场景。

参数

类型：MOSFET
　　封装：TO-252 (DPAK)
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：30A
　　导通电阻(Rds(on))：4mΩ
　　栅极电荷(Qg)：27nC
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　开关速度：快速

特性

SDC49EJTR-E1 的主要特点是其超低的导通电阻，仅为 4mΩ，这使得它在高电流应用中表现出色。此外，它的栅极电荷较低，仅为 27nC，从而实现了快速开关性能，减少了开关损耗。
　　该器件还具有出色的热稳定性，能够在 -55°C 至 +175°C 的宽温范围内可靠运行。其 TO-252 封装形式便于安装，并且提供了良好的散热性能。
　　由于其优异的电气特性和可靠性，SDC49EJTR-E1 在功率转换和电机控制领域得到了广泛应用。