时间：2025/8/4 19:48:22
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SDC15TCLT 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率开关应用。该器件采用先进的沟槽式技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优异的热稳定性。SDC15TCLT 通常用于电源转换器、DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等应用中。
类型：N 沟道
漏极-源极电压（Vds）：150V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：8.5A
漏极功耗（Pd）：62W
导通电阻（Rds(on)）：0.18Ω（最大值）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
SDC15TCLT 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。该器件的沟槽式设计不仅优化了导通性能，还增强了高频开关能力，使其适用于高频率转换器应用。
此外，SDC15TCLT 的封装采用 TO-252（DPAK）形式，这是一种表面贴装封装，具备良好的热管理和空间节省优势，适合在紧凑型设计中使用。其封装结构还增强了机械稳定性和焊接可靠性，适用于自动化装配流程。
该 MOSFET 具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，且具备较强的抗雪崩能力和过载耐受能力，确保在高应力条件下的可靠工作。
SDC15TCLT 的栅极驱动电压范围为 ±20V，兼容多种常见的栅极驱动电路，适用于 PWM 控制、负载开关和同步整流等应用。
SDC15TCLT 常用于各种电源管理系统中，例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器、电池管理系统、马达驱动器、负载开关和工业控制电路。由于其高效率和紧凑封装的特点，它也适用于需要高密度设计的便携式设备和汽车电子系统。
STD15NB45T4、STD15NB40V2、STB15NM50NS、IRFZ44N
