IXGH20N80 是一款由 IXYS 公司生产的高功率 N 沟道 IGBT(绝缘栅双极型晶体管),广泛应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降的优点,适用于高频开关和高功率密度的设计。
类型:N 沟道 IGBT
集电极-发射极电压(VCES):800V
集电极电流(IC):20A
栅极-发射极电压(VGE):±20V
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TO-247
IXGH20N80 IGBT 具有出色的导通特性和低开关损耗,使其在高频率工作条件下表现优异。其主要特性包括:
1. 高耐压能力:该器件的集电极-发射极额定电压为 800V,能够承受较高的电压应力,适用于各种高压应用。
2. 低导通压降:IXGH20N80 的导通压降较低,有助于减少导通损耗,提高系统效率。
3. 快速开关特性:优化的结构设计使得该 IGBT 具有较快的开关速度,适用于高频逆变器和变换器拓扑。
4. 高可靠性:采用先进的制造工艺和材料,确保在严苛的工作环境下仍能保持稳定性能。
5. 过热保护能力强:该器件具有良好的热稳定性和较高的工作温度上限(+150°C),适用于高温环境下的长时间运行。
6. 安全工作区宽广:IXGH20N80 具有较宽的安全工作区域(SOA),能够承受较大的瞬态电流和电压冲击,提升系统的稳定性与可靠性。
IXGH20N80 IGBT 主要应用于以下领域:
1. 电源系统:包括高功率开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和 AC-DC 整流器等,用于提高电源转换效率和功率密度。
2. 电机驱动:适用于变频器和伺服驱动器中的逆变电路,实现对交流电机的高效控制。
3. 可再生能源系统:如太阳能逆变器和风能变流器,用于将直流电转换为交流电并馈入电网。
4. 电焊设备:作为逆变式焊接电源的核心开关元件,提高焊接效率和稳定性。
5. 工业加热:在感应加热和高频加热设备中作为功率开关使用,实现高效的能量转换。
6. 电动汽车:用于车载充电器、电机控制器等关键部件,满足电动汽车对高效率和高可靠性的需求。
IXGH20N60A3, IXGH20N120B3, FGA20N120ANTD