GJM1555C1H4R0WB01D 是一款高性能的钽电容器,属于固态钽电容器系列。它采用了先进的制造工艺和材料技术,具有出色的稳定性和可靠性,适用于多种工业和消费类电子设备中。该型号的电容器以其低等效串联电阻(ESR)、高频率特性和宽温度范围而著称。
容值:4.7μF
额定电压:25V
封装类型:chip
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
尺寸:3216 (公制) / 1206 (英制)
耐纹波电流能力:强
绝缘电阻:≥ 1000MΩ
等效串联电阻(ESR):≤ 0.04Ω
GJM1555C1H4R0WB01D 具有以下主要特性:
1. 高可靠性:使用固态锰 dioxide(MnO2)作为阴极材料,确保了其在极端条件下的稳定性。
2. 超低 ESR:有效减少电源噪声,提高电路性能。
3. 宽温特性:能够在 -55℃ 到 +125℃ 的范围内正常工作,适应恶劣环境。
4. 长寿命:采用高品质材料和优化设计,保证长期使用。
5. 紧凑型设计:适合空间受限的应用场景,同时保持良好的电气性能。
6. 环保无铅:符合 RoHS 标准,对环境友好。
GJM1555C1H4R0WB01D 广泛应用于以下领域:
1. 通信设备:如基站、路由器、交换机等需要高稳定性的电源滤波场合。
2. 工业控制:用于变频器、PLC 控制系统中的电源平滑。
3. 消费电子:如笔记本电脑、平板电视等需要低噪声电源的设备。
4. 医疗设备:在要求高可靠性和精确性的医疗仪器中作为关键元件。
5. 汽车电子:如汽车音响系统、导航系统和传感器模块中的信号调节电路。
AVX TPSA4R7M025K085Y, KEMET T491A475K025ATA