SDB75N03L 时间：2025/12/29 14:53:56 阅读：12

SDB75N03L是一款由Sanken（三健）电子制造的N沟道MOSFET晶体管，主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、电机驱动器、电源管理模块以及各类高功率电子设备。SDB75N03L采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的热性能和机械稳定性，适合在工业环境和消费电子产品中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：75A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大5.5mΩ（典型值4.5mΩ）
　　功耗（PD）：100W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

SDB75N03L的主要特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件的高电流能力使其适用于大功率负载应用，如电机控制和高电流DC-DC转换器。此外，SDB75N03L具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适用于紧凑型设计中对散热要求较高的场合。其快速开关特性减少了开关损耗，提高了整体系统的响应速度和能效。该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在高应力条件下保持可靠运行。
　　在封装方面，TO-252（DPAK）封装提供了良好的热管理和机械强度，便于焊接和安装。该封装还支持表面贴装技术（SMT），适用于自动化生产流程。SDB75N03L的栅极驱动电压范围宽，兼容标准逻辑电平，便于与各种控制电路配合使用。

应用

SDB75N03L广泛应用于电源管理领域，如同步整流式DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）和功率因数校正（PFC）电路。其高电流能力和低导通损耗也使其成为电机驱动电路和H桥结构中的理想选择。此外，该器件适用于服务器电源、通信设备、工业自动化控制系统以及各类高功率便携式电子设备。在汽车电子中，SDB75N03L也可用于车载充电器、起停系统和电动助力转向系统等功率控制模块。