类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：900V
　　最大漏极电流（ID）：9A
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.95Ω（典型值）
　　封装形式：TO-220AB
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　功率耗散（PD）：80W

FMR09N90E具备多项高性能特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其高漏源击穿电压（900V）使其适用于高压电路环境，能够承受较高的电压应力，同时确保器件的可靠运行。其次，该MOSFET的最大漏极电流为9A，在高负载条件下仍能保持稳定的导通状态，满足中高功率变换器的需求。
　　该器件的导通电阻（RDS(on)）为0.95Ω，这一数值相对较低，有助于减少导通损耗，提高整体系统的能效。此外，FMR09N90E采用TO-220AB封装，具有良好的热管理和机械稳定性，便于散热和安装，适用于紧凑型功率模块设计。
　　其栅极-源极电压范围为±30V，具备较高的驱动灵活性，同时在栅极驱动电路设计上提供了较大的容差。工作温度范围覆盖-55°C至150°C，确保其在极端温度环境下的稳定性和可靠性，非常适合工业级和汽车电子应用。
　　此外，FMR09N90E具有较快的开关速度，有助于提升电源转换效率，并减少开关损耗，适用于高频开关电源和DC-AC逆变器等应用。其整体设计兼顾了高耐压、低导通损耗和良好的热性能，是一款适用于多种高功率场景的高性能MOSFET。

FMR09N90E主要用于高压和高功率电子系统中，包括但不限于以下领域：工业电源和开关电源（SMPS）、电动车辆的车载充电器（OBC）和DC-DC转换器、太阳能逆变器和储能系统、UPS不间断电源、电机驱动器和变频器、LED照明电源系统、家电中的功率控制模块等。该器件的高电压耐受能力和稳定的导通性能使其成为多种中高功率电力电子设备中的理想选择。

SiHP09N90C, IXFN90N90P, STF9NK90Z