时间：2025/6/24 13:04:56
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FN21N1R8C500PAG 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频应用中提供出色的效率和可靠性。
该功率 MOSFET 通过优化设计降低了栅极电荷，从而减少了开关损耗，并且其坚固的结构设计使其能够承受较高的雪崩能量。FN21N1R8C500PAG 的封装形式为 PAKG 封装，适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
最大漏源电压：500V
最大连续漏极电流：16A
最大脉冲漏极电流：40A
导通电阻（典型值）：0.18Ω
栅源开启电压：2.1V
栅源关断电压：-5V
总栅极电荷：39nC
输入电容：1740pF
输出电容：380pF
反向恢复时间：10ns
FN21N1R8C500PAG 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高系统效率。
2. 高额定电压（500V），适用于高压应用环境。
3. 低栅极电荷和快速开关能力，有效降低开关损耗。
4. 强大的雪崩能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
5. 表面贴装封装，提高了装配效率和系统的紧凑性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
该器件广泛用于各种电力电子应用中，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动控制
4. 负载开关
5. 电池保护电路
6. 工业控制中的功率管理模块
由于 FN21N1R8C500PAG 在效率和可靠性的平衡上表现出色，它成为这些领域中的理想选择。
IRF540N
STP16NF50
FDP15N50E
