时间：2025/6/13 12:59:02
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STD80N6F7 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沣道沟道功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛应用于工业和消费电子领域中的开关电源、电机驱动和负载切换等场景。
该型号属于 ST 的 PowerFET 系列，采用了优化的芯片设计和封装技术，能够有效降低功耗并提高系统效率。
最大漏源电压（Vds）：60V
连续漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ
栅极电荷（Qg）：12nC
输入电容（Ciss）：3980pF
输出电容（Coss）：270pF
反向传输电容（Crss）：145pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：D2PAK（TO-263）
STD80N6F7 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（4.5mΩ），有助于减少导通损耗，提高整体效率。
2. 高额定电流（80A），可支持大功率应用需求。
3. 快速开关性能，适合高频开关电源和其他高速电路。
4. 优秀的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
6. 良好的雪崩能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
STD80N6F7 常用于以下应用领域：
1. 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路中的功率级元件。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 太阳能逆变器和电池管理系统中的功率管理。
5. 各种需要高效功率转换和控制的应用场景。
STD80N6F5, IRFB7740TRPBF, FDP8860
