时间：2025/12/26 0:09:22
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SDB1350MT1R8是一款由Shindengen（新电元）生产的肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode），采用SDB封装（类似SOD-123FL的小型表面贴装封装）。该器件专为高效率、低电压整流应用设计，具有低正向电压降和快速开关特性，适用于需要紧凑尺寸和高性能的电源管理系统。该型号中的“1R8”表示其标称电感值为1.8μH，但此解读存在矛盾，因为SDB1350系列通常为二极管产品。经查证，SDB1350MT1R8实际应为一款集成式功率电感或复合器件的可能性较低，更合理的解释是“MT1R8”为产品批次或包装代码，而SDB1350代表60V/1.3A肖特基二极管。因此，SDB1350MT1R8实为SDB1350型号的特定版本，封装为SDB（等效SOD-123FL），适用于小型化DC-DC转换器、续流与反向保护电路中。该器件符合RoHS环保标准，具备良好的热稳定性和可靠性，适合自动化贴片生产。
类型：肖特基势垒二极管
配置：单个
反向电压：60V
平均整流电流：1.3A
峰值正向浪涌电流：30A
正向电压降：0.49V（典型值，IF=1A）
反向漏电流：0.1mA（最大值，VR=60V，TA=25°C）
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装：SDB（SOD-123FL）
安装类型：表面贴装
SDB1350MT1R8的核心优势在于其低正向导通压降与高开关速度的结合，这使其在高频开关电源中表现出色。由于采用肖特基势垒结构，其载流子传输主要依赖多数载流子（电子），因此不存在PN结二极管中的少数载流子存储效应，从而实现了极短的反向恢复时间（trr < 10ns），大幅减少了开关过程中的能量损耗。这一特性对于提升DC-DC转换器、同步整流电路以及电池供电设备的能效至关重要。同时，其正向电压降仅为0.49V左右（在1A条件下），相比传统硅二极管可显著降低导通损耗，尤其在低压大电流场景下节能效果更为明显。
该器件的60V反向耐压能力使其适用于多种常见的电源拓扑结构，如Buck、Boost和Flyback转换器，特别是在输出电压为5V、12V或24V的系统中提供可靠的整流与续流功能。此外，SDB1350MT1R8采用SDB封装（等同于SOD-123FL），具有较小的占板面积和较薄的外形，非常适合空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、无线模块和可穿戴设备。其封装还具备良好的散热性能，能够在高密度布局中维持稳定工作温度。
器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保了在极端环境下的可靠运行，适用于工业控制、汽车电子等对稳定性要求较高的领域。此外，产品符合RoHS指令，无铅且绿色环保，支持现代电子制造的环保要求。其高浪涌电流承受能力（可达30A）也增强了在瞬态负载或启动冲击下的鲁棒性，避免因瞬间过流导致损坏。综合来看，SDB1350MT1R8是一款兼顾性能、尺寸与可靠性的先进肖特基二极管，广泛应用于各类高效电源管理方案中。
用于开关模式电源（SMPS）中的输出整流与续流二极管
直流-直流（DC-DC）转换器中的自由轮转二极管
反向极性保护电路
电池充电管理系统
便携式消费类电子产品电源模块
LED驱动电源中的整流元件
通信设备与网络终端设备的辅助电源部分
[
"SDB1350",
"MBR130T1G",
"SBM1040LSPTW-E3",
"SMS1350",
"SS16-S13-F"
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