类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：17A（在TC=100℃时）
　　功耗(Pd)：180W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.22Ω
　　封装形式：TO-220

FQP17N60A具备多个优良的电气特性。其600V的漏源电压额定值使其适用于高电压应用，如AC-DC转换器和功率因数校正（PFC）电路。该MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，该器件的封装形式为TO-220，具备良好的热性能和机械稳定性，便于安装在散热器上以提高散热能力。
　　该器件还具有快速开关特性，适合高频开关应用，从而减小了外部滤波器元件的尺寸。其栅极驱动特性优化，可减少驱动损耗并提升系统的动态响应能力。FQP17N60A还具备良好的雪崩能量承受能力，增强了器件在瞬态过压条件下的可靠性。
　　由于其优异的性能，FQP17N60A被广泛用于工业电源、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、LED照明驱动器以及消费类电子设备中的电源模块设计。

FQP17N60A主要应用于各种高电压、中等功率的电子系统中。其常见应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、功率因数校正（PFC）电路、DC-DC转换器、电机控制电路、UPS系统、电池充电器、太阳能逆变器以及工业自动化设备中的功率开关模块。此外，它还可用于LED驱动器、电子镇流器、电磁炉等家用电器中的功率控制电路。
　　在开关电源设计中，FQP17N60A可以作为主开关器件，用于高频开关操作，提高电源转换效率并减小电源体积。在功率因数校正电路中，该MOSFET用于提升系统的功率因数，满足国际能效标准。在太阳能逆变器中，它用于将直流电能转换为交流电能，以供家庭或电网使用。

FQA16N60C、IRFBC40、FQP16N60C、FGP16N60