类型：肖特基二极管
　　配置：双共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流阻断电压（VR）：40V
　　最大正向平均整流电流（IF(AV)）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：15A
　　最大正向压降（VF）@ 1A：800mV
　　最大反向漏电流（IR）@ 25°C：300μA
　　最大反向漏电流（IR）@ 125°C：1.5mA
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
　　封装/包装：SOT-26
　　安装类型：表面贴装型

SDB1340MT1R0的核心优势在于其低正向导通压降和优异的开关速度，这得益于其采用的肖特基势垒技术。在正常工作条件下，当正向电流达到1A时，其典型正向压降仅为650mV左右，最大不超过800mV，显著低于传统的PN结二极管。这种低VF特性意味着在导通状态下功耗更低，有助于提升电源转换效率并减少散热需求，特别适用于电池供电设备或对能效有严格要求的应用场景。
　　该器件具有极短的反向恢复时间（trr），通常小于5纳秒，几乎不存在电荷存储效应，因此在高频开关电源、DC-DC转换器和续流保护电路中表现出色。由于没有明显的反向恢复电流尖峰，可以有效降低电磁干扰（EMI），简化滤波电路设计，从而提升系统的电磁兼容性。此外，双共阴极结构使得它非常适合用于双路输出整流或同步整流辅助电路中，节省PCB空间并简化布局。
　　SDB1340MT1R0采用SOT-26小型化表面贴装封装，体积小巧，便于实现高密度PCB布板，适用于智能手机、平板电脑、无线充电模块、LED驱动电源等便携式和微型化电子产品。其热性能经过优化，能够在有限的散热条件下维持稳定工作。同时，该器件具备良好的温度稳定性，即使在高温环境下反向漏电流也保持在可控范围内，确保长期运行的可靠性。
　　在制造工艺上，SDB1340MT1R0遵循严格的品质控制流程，具备高抗湿性、耐焊接热冲击能力，并通过了AEC-Q101车规级认证，可用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等汽车电子应用。其无铅、无卤素设计符合现代绿色电子产品的环保要求，支持全球市场的合规性准入。总体而言，SDB1340MT1R0是一款集高效、可靠、小型化于一体的高性能肖特基二极管，适用于多种中低压、高频率电力电子应用领域。

SDB1340MT1R0广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的DC-DC升压或降压转换器，如手机、智能手表和蓝牙耳机的电源管理单元；在这些设备中，它作为续流二极管或防倒灌二极管使用，以防止能量回流损坏前级电路。此外，该器件也常用于USB充电接口的电源路径管理，提供低损耗的电流传输通道。
　　在工业控制和通信设备中，SDB1340MT1R0可用于隔离不同电源域之间的信号与功率传输，例如在FPGA或微控制器的辅助电源电路中实现电压钳位和瞬态保护。其高频特性使其成为开关模式电源（SMPS）中理想的整流元件，特别是在多路输出拓扑结构中，双共阴极配置可简化外围电路设计。
　　在汽车电子领域，该器件适用于车载导航系统、仪表盘电源模块、LED车灯驱动电路等应用场景。得益于其AEC-Q101认证和宽温工作能力，能在恶劣的车载环境中保持稳定性能。此外，也可用于电池管理系统（BMS）中的充放电路径隔离，防止电池反接造成损坏。
　　其他潜在应用还包括无线充电接收端的整流桥、太阳能充电控制器、小型逆变器以及各类适配器电源次级侧整流环节。由于其封装小型化且易于自动化贴片生产，适合大规模量产使用，是现代高集成度电子设计中的关键无源元件之一。

SD1340WMT1G
　　MBR1340T1G
　　SS14-S07
　　DSK14-040
　　BAT54CWS