您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SDB0650MTR68

SDB0650MTR68 发布时间 时间:2025/12/26 0:06:36 查看 阅读:19

SDB0650MTR68是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的肖特基势垒二极管阵列,采用双共阴极配置,专为高效率、低电压开关电源和DC-DC转换应用设计。该器件基于先进的平面硅技术制造,通过优化的结构设计实现了较低的正向压降和快速的反向恢复时间,从而显著提升了电源转换效率并减少了功耗。SDB0650MTR68封装在紧凑的DPAK(TO-252AA)功率贴片封装中,适用于需要高效散热和节省PCB空间的应用场景。其高电流承载能力与优良的热稳定性使其广泛应用于工业控制、消费电子、通信设备以及汽车电子等领域。此外,该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,满足现代电子产品对环境友好型元器件的要求。SDB0650MTR68特别适合用于同步整流电路中,作为主整流或续流二极管使用,能够在高频工作条件下保持稳定的性能表现。

参数

类型:双共阴极肖特基二极管
  最大重复峰值反向电压(VRRM):60V
  最大直流阻断电压(VR):60V
  最大有效值电压(VRMS):42V
  最大平均整流电流(IO):6.8A
  峰值非重复浪涌电流(IFSM):100A
  最大正向压降(VF)@ 3.4A:0.65V
  最大反向漏电流(IR)@ 60V, 125°C:1.0mA
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +175°C
  封装形式:DPAK (TO-252AA)
  安装类型:表面贴装

特性

SDB0650MTR68的核心优势在于其采用的高性能肖特基势垒技术,这种技术利用金属-半导体结代替传统的PN结,从而消除了少数载流子的存储效应,实现极快的开关速度和几乎为零的反向恢复电荷(Qrr)。这一特性使得该器件在高频开关电源中表现出色,能够大幅降低开关损耗,提高系统整体能效。其最大正向压降仅为0.65V(在3.4A条件下),相比传统硅二极管可显著减少导通损耗,尤其在大电流输出的低压电源系统中节能效果明显。同时,该器件具有良好的热稳定性,在高温环境下仍能维持较低的漏电流水平——在125°C时最大反向漏电流仅为1.0mA,确保了系统在恶劣工况下的可靠性。
  该器件的双共阴极结构设计使其非常适合用于同步整流拓扑中的两个并联整流路径,例如在半桥或全桥DC-DC变换器中作为次级侧整流元件。每个二极管可承受最高6.8A的平均整流电流,并能承受高达100A的非重复浪涌电流,具备较强的瞬态过载能力。DPAK封装提供了优良的热传导路径,便于通过PCB铜箔进行散热,适合高功率密度设计。此外,该封装形式支持自动化贴片生产,有利于提升制造效率和产品一致性。SDB0650MTR68还具备出色的抗热冲击能力,经过严格的可靠性测试,包括高温反偏(HTRB)、高温存储(HTSL)和温度循环等,确保长期运行的稳定性。由于其低噪声特性,该器件在敏感模拟电路附近使用时不会引入明显的电磁干扰。综合来看,SDB0650MTR68是一款兼顾高效率、高可靠性和易用性的功率肖特基二极管,适用于对能效和空间布局有严格要求的现代电力电子系统。

应用

SDB0650MTR68广泛应用于各类需要高效能量转换的电源系统中。典型应用场景包括开关模式电源(SMPS),尤其是在笔记本电脑适配器、台式机电源、LCD电视和机顶盒等消费类电子产品中的低压直流输出级整流。它也常用于服务器和通信设备中的分布式电源架构(如POL点负载转换器),作为同步整流器的替代或辅助元件,以提升整体效率。在DC-DC升压或降压转换器中,该器件可用作续流二极管或输出整流管,特别是在工作频率较高的设计中发挥其快速响应的优势。此外,该器件适用于电池充电管理系统、LED驱动电源以及工业控制电源模块。由于其良好的热性能和稳定的工作特性,SDB0650MTR68也可用于汽车电子系统中的辅助电源单元,如车载信息娱乐系统或ADAS供电模块,在宽温环境下仍能保持可靠运行。太阳能微逆变器和便携式储能设备中的功率管理电路也是其潜在应用领域。

替代型号

SBT6060WLT1G
  VS6MB60-M3-18
  MBR660PT
  STPS60SM60DP

SDB0650MTR68推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价