时间：2025/9/14 23:53:16
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PUMH24,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于需要高效率和高可靠性的应用中。该器件采用 TSSOP（Thin Small Outline Package）封装，具有低导通电阻、高功率密度和良好的热稳定性。适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及各种功率控制电路。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：8.8A（在25°C）
功耗（Ptot）：2.4W
导通电阻（RDS(on)）：约30mΩ（在VGS=10V）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TSSOP
PUMH24,115 的主要特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。由于其在 10V 栅极电压下的 RDS(on) 仅为约 30mΩ，这款 MOSFET 在高电流应用中表现出色，减少了热量产生并提高了能效。
该器件的 TSSOP 封装提供了良好的热管理和空间节省设计，使其适用于紧凑型电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和工业控制系统。同时，其额定漏极电流高达 8.8A，在适当散热条件下能够处理较高的功率负载。
PUMH24,115 还具备出色的雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态电压冲击下的可靠性。此外，其栅极驱动电压范围较宽，支持在多种控制电路中灵活使用，包括使用 5V 或 10V 驱动的应用场景。
由于其高可靠性设计和良好的热稳定性，PUMH24,115 可用于要求苛刻的工业和汽车应用中，如电动工具、电池管理系统和电机控制电路。
PUMH24,115 常用于多种功率电子系统中，特别是在需要高效率和小尺寸设计的场合。典型应用包括 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电源管理模块以及各种电机驱动电路。此外，它也可用于电池供电设备中的功率控制，如便携式电子设备、无人机和智能家电。
在汽车电子系统中，该 MOSFET 可用于车身控制模块、车载充电器和电动助力转向系统等应用。由于其良好的热性能和高可靠性，也适合用于工业自动化设备和通信基础设施中的电源模块。
IPD180P03P4-03, SiSS62DN, BUK9618-55A, FDS6680, AO4407
