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SDB0630MTR47 发布时间 时间:2025/12/26 0:08:16 查看 阅读:10

SDB0630MTR47是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的肖特基势垒二极管阵列,采用双共阴极配置,专为高效率、低电压开关应用设计。该器件基于先进的平面硅技术制造,具有优良的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、逆变电路以及各类便携式电子设备中。其封装形式为SOT-23(Small Outline Transistor),属于微型表面贴装器件,适合对空间要求严格的高密度PCB布局。SDB0630MTR47的命名中,'SDB'代表肖特基二极管系列,'0630'可能指其电流与电压等级,'MTR47'表示卷带包装规格,适用于自动化贴片生产流程。
  这款二极管的核心优势在于其低正向压降(VF)和快速反向恢复时间(trr ≈ 无反向恢复电荷),使其在高频开关环境下表现出色,能够显著降低功率损耗并提升系统整体能效。此外,它具备良好的热稳定性和抗浪涌能力,在瞬态负载条件下仍能保持稳定工作。由于其共阴极结构,两个阳极共享一个阴极引脚,非常适合用于双路同步整流或输入保护电路中。SDB0630MTR47符合RoHS环保标准,并通过了多项国际质量认证,确保在工业级温度范围内可靠运行。

参数

类型:双肖特基势垒二极管
  配置:共阴极
  最大重复反向电压(VRRM):30V
  最大平均正向整流电流(IF(AV)):600mA
  峰值脉冲正向电流(IFSM):5A
  最大正向电压(VF):470mV @ IF = 1A
  最大反向漏电流(IR):0.1μA @ VR = 24V
  反向恢复时间(trr):典型值 < 1ns
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  封装:SOT-23
  安装类型:表面贴装(SMD)
  符合标准:RoHS合规,不含卤素

特性

SDB0630MTR47的核心特性之一是其采用肖特基势垒技术实现的极低正向导通压降,典型值仅为470mV,当通过1A电流时相比传统PN结二极管可大幅减少功耗,提高电源转换效率。这种低VF特性尤其适用于电池供电设备和高效DC-DC变换器,有助于延长续航时间并降低散热需求。同时,由于肖特基二极管本质上是一种多数载流子器件,不存在少数载流子存储效应,因此其开关速度极快,反向恢复时间几乎可以忽略不计(通常小于1ns),有效避免了高频开关过程中因反向恢复电荷引起的尖峰电流和电磁干扰问题,提升了系统的EMI性能。
  该器件采用双共阴极结构设计,使得两个独立的肖特基二极管共享同一个阴极端子,特别适用于双通道同步整流拓扑或双路输出整流电路中,简化了PCB布线并节省空间。此外,SDB0630MTR47具有出色的热稳定性,可在高达+150°C的结温下持续工作,且在瞬态过流情况下能承受高达5A的峰值脉冲电流,展现出较强的鲁棒性。其SOT-23小型化封装不仅便于自动化贴片组装,还支持回流焊工艺,适应现代电子产品微型化趋势。器件本身符合RoHS指令要求,不含铅、镉、六价铬等有害物质,也满足绿色电子产品的环保标准。在整个工业温度范围(-55°C至+150°C)内,其电气参数保持高度一致性,确保在恶劣环境下的长期可靠性,适用于消费类电子、通信模块、电源适配器及嵌入式控制系统等多种应用场景。

应用

SDB0630MTR47广泛应用于需要高效率、小尺寸和快速响应的电源管理系统中。典型用途包括低压DC-DC升压/降压转换器中的续流与整流二极管,特别是在便携式设备如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中作为同步整流替代方案,以提升能效并减少发热。其低正向压降特性使其成为LDO稳压器旁路电路或反接保护电路的理想选择。在电池充电管理电路中,可用于防止电流倒灌,保障充电安全。此外,该器件常被用于隔离双电源路径或多电源切换系统中,实现自动电源优先选择功能,例如主辅电源无缝切换设计。
  在通信与网络设备中,SDB0630MTR47可用于接口保护电路,吸收瞬态电压冲击并抑制噪声干扰。其高速开关能力也适用于信号解调、检波电路以及高频逆变器中的整流环节。在LED驱动电源中,可用于反馈回路中的钳位或续流作用,防止电压反冲损坏控制IC。由于其SOT-23封装体积小巧,特别适合空间受限的应用场景,如TWS耳机、智能手表、物联网传感器节点等超薄终端产品。此外,在工业控制板、智能家居模块和USB供电设备中也有广泛应用,提供高效的电源整流与防反接保护功能。凭借其可靠的性能和广泛的兼容性,SDB0630MTR47已成为许多中小型功率电子设计中的标准元件之一。

替代型号

[
   "MBR0630T1G",
   "BAT54C",
   "SMS3404",
   "DMCA1640U",
   "RB060M",
   "SS12"
  ]

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