容量：256 Kbit
　　组织方式：32K × 8位
　　接口类型：SPI（串行外设接口）
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　最大时钟频率：5 MHz
　　封装类型：8引脚TSSOP
　　写入耐久性：1012次/位
　　数据保持时间：10年（无需电源）

MB85R258HPFCN具备多项突出的性能特点。首先，其采用的FRAM技术结合了RAM和ROM的优点，具有类似RAM的快速写入能力，同时在断电后也能保持数据不丢失。该芯片的写入耐久性高达1012次/位，远远超过传统EEPROM和Flash存储器的擦写次数限制，适用于需要频繁写入的场合。
　　此外，MB85R256HPFCN在功耗方面表现出色，工作电流极低，支持低功耗模式，有助于延长电池供电设备的使用寿命。其SPI接口设计简化了与微控制器的连接，便于系统集成。
　　该芯片还具备良好的抗辐射能力和高可靠性，可在恶劣工业环境下稳定运行。数据保持时间长达10年，在无需外部电源的情况下依然能够安全存储数据。

MB85R256HPFCN广泛应用于需要高效、可靠数据存储的嵌入式系统中。例如，在工业自动化设备中用于存储实时采集的数据和配置参数；在智能电表、水表和燃气表中用于记录使用数据和设备状态信息；在便携式医疗设备中用于保存患者数据和设备日志；在安防系统中用于存储配置信息和事件记录等。
　　由于其高耐用性和低功耗特性，该芯片也非常适合用于物联网（IoT）设备、可穿戴设备和无线传感器网络等对存储性能要求较高的应用领域。

FM25V02A-GTR、MB85RS256BPNPF-G-BR、CYFRAM4KB-SX