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SDB0625MTR47 发布时间 时间:2025/12/26 0:10:31 查看 阅读:12

SDB0625MTR47是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的肖特基二极管阵列中的单个器件,属于高性能表面贴装功率肖特基整流二极管。该器件采用先进的平面硅技术制造,具有低正向压降和快速开关特性,适用于高效率的电源转换应用。SDB0625MTR47的命名中,“SDB”通常代表肖特基二极管系列,“0625”可能指其封装尺寸或电流等级,“MTR47”表示其为特定电压/电流规格并以卷带包装(Tape and Reel)形式供货。该器件广泛用于DC-DC转换器、电源管理模块、逆变器、电池充电系统以及消费类电子产品中的整流与续流保护电路。由于其低功耗特性和紧凑型封装,SDB0625MTR47特别适合对空间和能效有严格要求的应用场景。

参数

型号:SDB0625MTR47
  制造商:STMicroelectronics
  二极管类型:肖特基整流二极管
  最大重复峰值反向电压(VRRM):60V
  最大直流阻断电压(VR):60V
  平均整流电流(IO):6.2A
  峰值浪涌电流(IFSM):50A(@8.3ms半正弦波)
  最大正向压降(VF):0.52V @ 6.2A, 150°C
  典型正向压降(VF):约0.45V @ 6.2A, 25°C
  最大反向漏电流(IR):500μA @ 60V, 125°C
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
  热阻抗(RθJA):约30°C/W(依PCB布局而定)
  封装形式:PowerFLAT 2x2-6 或类似小型DFN封装
  引脚数:6
  安装类型:表面贴装(SMD)

特性

SDB0625MTR47具备优异的电学性能和热稳定性,其核心优势在于采用了先进的肖特基势垒技术,实现了极低的正向导通压降,在大电流工作条件下显著降低功耗,提升整体系统效率。在6.2A的工作电流下,其正向压降仅为0.52V(高温状态),相比传统PN结二极管可减少超过30%的能量损耗,有效缓解散热压力。该器件支持高达60V的反向耐压,满足多数低压电源系统的安全需求,同时具备出色的抗浪涌能力,可承受最高50A的瞬时过流冲击,增强了系统在异常工况下的可靠性。
  SDB0625MTR47采用PowerFLAT等先进的小型化封装技术,体积小巧且具有优良的热传导性能,底部设有散热焊盘,可通过PCB实现高效散热。这种设计不仅节省了宝贵的PCB空间,还提升了功率密度,非常适合便携式设备和高集成度电源模块使用。其无铅、符合RoHS标准的材料体系也确保了环保合规性,并支持自动化贴片生产流程。
  此外,该器件拥有宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C),可在极端环境条件下稳定运行,表现出良好的长期可靠性和老化稳定性。其反向漏电流控制在合理范围内,即使在高温环境下也能保持较低水平,避免因漏电增加而导致的额外功耗上升问题。综合来看,SDB0625MTR47是一款面向高效能、小体积电源应用优化设计的高性能肖特基二极管,适用于追求高效率与高可靠性的现代电子系统。

应用

SDB0625MTR47广泛应用于各类需要高效整流与快速响应的电力电子电路中。典型应用场景包括同步整流型DC-DC降压或升压转换器,尤其是在服务器、通信设备和工业控制电源中作为次级侧整流元件,用于替代传统MOSFET同步整流方案中难以完全消除的体二极管导通损耗环节。它也被用于电池供电系统中的防反接保护和能量回馈回路,如电动工具、无人机和便携式医疗设备。
  在AC-DC适配器、USB PD快充模块和LED驱动电源中,SDB0625MTR47常被用作输出整流或续流二极管,利用其低VF特性提高转换效率并减少发热。此外,该器件还可用于逆变器电路、电机驱动器中的箝位保护、以及太阳能充电控制器等可再生能源管理系统中,发挥其快速恢复和低损耗的优势。
  由于其表面贴装封装形式和高功率密度特点,SDB0625MTR47特别适用于自动化生产线组装的消费类电子产品,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑及其配件电源模块。在汽车电子领域,尽管未专门标定为AEC-Q101认证器件,但在非关键车载辅助电源系统中也有潜在应用价值,前提是满足相应的环境与可靠性验证要求。总体而言,该器件是现代高效开关电源架构中实现节能与小型化的理想选择之一。

替代型号

MBR6H60VRG
  SS6H60LSE-13-F
  B260LA-13-F

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