类型：肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
　　最大平均正向整流电流（IF(AV)）：500mA
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：8A
　　最大正向电压（VF）：470mV @ 250mA, 1A
　　最大反向漏电流（IR）：200μA @ 30V
　　工作结温范围（TJ）：-65°C ~ +125°C
　　存储温度范围（TSTG）：-65°C ~ +150°C
　　封装/外壳：SOD-123

SDB0530MTR47作为一款高性能的肖特基势垒二极管，具备多项优异的技术特性，适用于多种低压高频应用环境。首先，其低正向导通电压是该器件的核心优势之一。在典型工作条件下，当正向电流为250mA时，其正向压降仅为470mV左右；即使在1A的较高电流下，压降也仅约600mV。这种低VF特性显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率，特别适合用于电池供电设备或对能效要求较高的系统中。相较于传统的PN结二极管，肖特基结构利用金属-半导体接触形成势垒，从而避免了少数载流子的储存效应，实现了更快的开关响应速度。这意味着SDB0530MTR47能够在高频开关电源、DC-DC转换器和续流应用中有效减少开关损耗，提升整体系统性能。
　　其次，该器件具有良好的热稳定性和可靠性。其最大工作结温可达+125°C，允许在较宽的温度范围内稳定运行，适用于存在温升的工作环境，如密集布局的PCB板或封闭式电源模块。同时，反向漏电流在常温下仅为几微安，在高温环境下虽有所增加，但仍处于可控范围之内（典型值不超过200μA @ 30V），确保了在待机或轻载状态下的低静态功耗表现。此外，SDB0530MTR47具备8A的峰值浪涌电流承受能力，能够短暂应对启动瞬间或异常工况下的大电流冲击，增强了系统的鲁棒性。
　　从封装角度来看，SDB0530MTR47采用SOD-123小型表面贴装封装，尺寸紧凑（约2.7mm × 1.6mm × 1.1mm），便于实现自动化贴片生产，节省PCB空间，适用于高密度集成设计。该封装还具备良好的散热性能，通过优化引线连接和内部结构设计，有效传导热量至PCB，进一步提升长期工作的可靠性。最后，该器件符合国际环保标准，不含铅、镉、六价铬等有害物质，属于RoHS合规产品，并支持无卤素生产工艺，符合现代绿色电子制造的发展趋势。

SDB0530MTR47广泛应用于各类低压直流电源系统中，典型用途包括DC-DC转换器中的整流与续流二极管、电源反接保护电路、电池充电管理模块、便携式消费类电子产品（如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机）、USB供电接口的防倒灌电路、太阳能充电控制器以及工业传感器供电单元等。由于其低正向压降和快速恢复特性，特别适合用于提高开关电源效率的同步整流替代方案中。此外，也可用于信号隔离、电压钳位及噪声抑制等模拟电路设计场景。

[
　　 "SS14",
　　 "RB520S-40",
　　 "BAT54C",
　　 "MBR0520",
　　 "PMES280UN,115"
　　]