类型：肖特基二极管
　　配置：单个
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：20V
　　最大直流阻断电压（VR）：20V
　　最大正向平均电流（IF(AV)）：500mA
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：8A
　　最大正向压降（VF）@ 500mA：580mV
　　最大反向漏电流（IR）@ 20V, 25°C：0.1μA
　　最大反向漏电流（IR）@ 20V, 125°C：50μA
　　反向恢复时间（trr）：典型值5ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　湿敏等级（MSL）：1级（无湿度敏感限制）

SDB0520MTR68的核心优势在于其出色的电气性能和高度集成化的设计，特别适合对空间和能效要求严格的现代电子系统。首先，该器件采用了先进的肖特基势垒技术，利用金属-半导体结实现单向导电性，相较于传统PN结二极管，显著降低了正向导通压降。在500mA电流下，其典型正向压降仅为580mV，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间并提高整体系统效率。
　　其次，SDB0520MTR68具备极快的开关响应能力，反向恢复时间（trr）典型值仅为5ns，几乎不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关应用中不会引入额外的开关损耗或电磁干扰（EMI）。这一特性使其成为DC-DC降压、升压及反激式转换器中的理想续流或整流元件，尤其是在工作频率超过数百kHz甚至达到MHz级别的电源拓扑中表现优异。
　　此外，该器件具有非常低的反向漏电流，在室温下不超过0.1μA，在高温125°C时也控制在50μA以内，确保了在高温环境下仍能维持良好的关断特性，避免因漏电导致的能量浪费或误动作。同时，高达8A的非重复浪涌电流承受能力增强了其抗瞬态冲击的能力，提高了系统在异常工况下的鲁棒性。
　　SOD-123FL封装不仅体积小巧（约2.7mm x 1.7mm x 1.1mm），还优化了引脚设计以降低寄生电感，有利于高速电路中的信号完整性。该封装支持自动化贴片生产，兼容回流焊工艺，并具备优良的散热性能，可通过PCB铜箔进行有效热传导。综合来看，SDB0520MTR68是一款高性能、高可靠性的表面贴装肖特基二极管，适用于严苛环境下的多种电源管理任务。

SDB0520MTR68因其低正向压降、快速开关速度和小尺寸封装，广泛应用于多种电源管理和信号处理电路中。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，常用于电池充放电路径的防反接保护、电源切换开关以及DC-DC转换器的同步整流或续流二极管，帮助提升能效并减少发热。
　　在各类AC-DC适配器和USB充电模块中，它被用作次级侧整流元件，特别是在低输出电压（如5V、3.3V）的高效电源设计中，其低VF特性可明显降低整流损耗，提升整体转换效率。此外，在工业控制系统的传感器供电、PLC模块电源、FPGA或MCU的辅助电源轨中，SDB0520MTR68可用于防止电源倒灌或作为OR-ing二极管使用。
　　通信设备中的光模块、路由器和交换机电源单元也常采用此类高性能肖特基二极管来实现紧凑型高效率电源方案。由于其通过AEC-Q101车规认证，SDB0520MTR68还可应用于汽车电子系统，例如车载信息娱乐系统、ADAS传感器供电、LED照明驱动电路等，满足汽车行业对元器件可靠性和温度适应性的严格要求。
　　另外，该器件也适用于太阳能充电控制器、移动电源、无线充电接收端等绿色能源和物联网终端设备，在这些对空间和功耗极为敏感的应用中发挥关键作用。

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　　 "SS12",
　　 "MBR0520",
　　 "PMDS3-20",
　　 "B220A",
　　 "SK25"
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