时间：2025/9/14 20:36:08
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PMXB65ENEZ 是一款由富士电机（Fuji Electric）推出的碳化硅（SiC）功率MOSFET模块，专为高效率、高频电力电子应用而设计。该模块基于SiC半导体技术，具有更低的导通和开关损耗，适用于需要高效率和高可靠性的功率转换系统。PMXB65ENEZ 采用双封装（Dual Package）结构，通常用于半桥拓扑结构，提供了一个高度集成的解决方案，适用于工业电源、电动车充电系统、可再生能源逆变器以及储能系统等领域。该模块集成了多个SiC MOSFET芯片，具有出色的热性能和电气性能，能够在高温和高频率条件下稳定运行。
类型：SiC MOSFET模块
最大漏极电流（ID）：150A
最大漏源电压（VDS）：650V
导通电阻（RDS(on)）：17mΩ
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装形式：PMXB
拓扑结构：半桥（Half-Bridge）
短路耐受能力：支持
隔离电压：3000Vrms（1分钟）
安装方式：螺钉安装
散热方式：底板散热
PMXB65ENEZ 是一款高性能的SiC功率模块，其核心优势在于采用了碳化硅材料，使得器件在高温、高压和高频条件下具有优异的性能。该模块的导通电阻仅为17mΩ，能够显著降低导通损耗，提高整体效率。同时，SiC MOSFET的开关损耗远低于传统的硅基IGBT，使得系统可以在更高的开关频率下运行，从而减小无源元件的体积，提高功率密度。
该模块采用双封装结构，内置两个SiC MOSFET芯片组成半桥拓扑结构，简化了外围电路设计，提高了系统的集成度和可靠性。此外，PMXB65ENEZ 具有良好的热管理能力，底板散热设计有助于快速将热量传导至散热器，确保模块在高负载下也能稳定运行。
在可靠性方面，PMXB65ENEZ 支持高达175°C的工作温度，具备良好的短路耐受能力，能够在极端条件下提供保护。模块的隔离电压高达3000Vrms，满足工业级绝缘要求，适用于高电压和高功率应用场景。此外，该模块通过了严格的测试和认证，符合RoHS环保标准，适合广泛应用于各种工业和汽车电子系统。
PMXB65ENEZ 适用于多种高功率密度和高效率的电力电子系统，例如工业电源、光伏逆变器、储能系统、电动车充电设备、不间断电源（UPS）和电机驱动器等。由于其高频特性和低损耗，该模块特别适合用于需要提升能效和缩小系统体积的应用场景。此外，PMXB65ENEZ 还可用于电动车的车载充电器（OBC）和DC/DC转换器，以实现更高的转换效率和更小的冷却系统设计。
CMF150D65FFR、VX1501M7-E019AC、SGM650T120R-E001
