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SDA36T1 发布时间 时间:2025/7/1 6:31:45 查看 阅读:7

SDA36T1是一种高性能的功率MOSFET器件,通常用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为TO-220,适用于大电流和高电压的工作环境。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:35nC
  开关时间:ton=75ns, toff=35ns
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

SDA36T1具有非常低的导通电阻,能够显著降低传导损耗,提高整体系统效率。
  该器件具备快速的开关能力,可以适应高频开关应用场景。
  内置的ESD保护功能增强了器件在实际应用中的可靠性。
  良好的热性能使其能够在高温环境下稳定运行,非常适合工业和汽车应用领域。
  其坚固耐用的设计确保了长期使用的稳定性。

应用

SDA36T1广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池保护电路以及负载开关等场景。
  由于其大电流处理能力和低导通电阻,特别适合要求高效能转换和高可靠性的设计。
  同时,它也常用于工业控制设备、家用电器及汽车电子系统中的功率管理部分。

替代型号

IRFZ44N
  STP40NF06L
  FDP5570
  IXFN40N06P

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