时间：2025/7/1 6:31:45
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SDA36T1是一种高性能的功率MOSFET器件，通常用于开关电源、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为TO-220，适用于大电流和高电压的工作环境。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：42A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：35nC
开关时间：ton=75ns, toff=35ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
SDA36T1具有非常低的导通电阻，能够显著降低传导损耗，提高整体系统效率。
该器件具备快速的开关能力，可以适应高频开关应用场景。
内置的ESD保护功能增强了器件在实际应用中的可靠性。
良好的热性能使其能够在高温环境下稳定运行，非常适合工业和汽车应用领域。
其坚固耐用的设计确保了长期使用的稳定性。
SDA36T1广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池保护电路以及负载开关等场景。
由于其大电流处理能力和低导通电阻，特别适合要求高效能转换和高可靠性的设计。
同时，它也常用于工业控制设备、家用电器及汽车电子系统中的功率管理部分。
IRFZ44N
STP40NF06L
FDP5570
IXFN40N06P
