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SDA312DF 发布时间 时间:2025/7/16 15:38:49 查看 阅读:13

SDA312DF是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为开关电源、电机驱动和负载开关等应用设计。该芯片采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  SDA312DF属于N沟道增强型MOSFET,支持高频工作环境,适用于各种需要高效能功率转换的场景。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:1.2mΩ
  总栅极电荷:45nC
  开关时间:ton=10ns, toff=15ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

SDA312DF的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在大电流条件下减少功率损耗。
  2. 高速开关能力,适合高频电路应用。
  3. 良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
  4. 内置ESD保护,提升器件的可靠性和抗干扰能力。
  5. 小型封装设计,便于在空间受限的应用中使用。

应用

SDA312DF广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. 电动工具和家用电器的电机驱动控制。
  3. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  5. 各类便携式电子设备的电池管理单元。

替代型号

IRF3205, FDP5500, AON6811