类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：120 A（在 Tc=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：5.2 mΩ（最大值，VGS=10V）
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0 ~ 2.5 V
　　功耗（PD）：140 W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6 HV

SDA132FF 具备多项优异的电气和热性能，适用于高功率密度和高效能设计。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，有助于提高整体系统的能效。该器件采用先进的沟槽栅技术，提升了电流承载能力和开关速度，适用于高频开关电源和同步整流电路。
　　SDA132FF 的封装为 PowerFLAT 5x6 HV，具有良好的热管理能力，能够在高电流负载下保持较低的工作温度，从而提升系统的可靠性和稳定性。此外，该封装无引脚设计有利于节省 PCB 空间，适用于紧凑型电子产品设计。
　　该 MOSFET 支持高达 120A 的连续漏极电流，适用于大电流负载应用场景，如电机驱动、电源管理模块和电池保护电路。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 175°C）也使其适用于工业级和汽车电子系统中。
　　此外，SDA132FF 具备较强的抗雪崩能力，能够在突发高电压或高电流情况下保持稳定运行，提升了系统的安全性和耐用性。

SDA132FF 主要应用于需要高效率和高功率密度的电子系统中。其主要用途包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源管理模块、UPS（不间断电源）、工业控制系统以及汽车电子设备等。
　　在 DC-DC 转换器中，SDA132FF 可作为高侧或低侧开关，其低导通电阻和快速开关特性可显著提升转换效率。在电池管理系统中，该器件可用于电池充放电控制和保护电路，确保电池的安全运行。
　　此外，SDA132FF 也广泛应用于电动工具、无人机、储能系统和新能源汽车等高功率应用领域，为这些设备提供可靠的功率控制和高效的能量传输能力。

STL132N3LLF, SDA138F, SDA130F, IPD132N3LLF