SD860YS是一款广泛应用于电源管理和功率控制领域的双路N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)集成电路。它通常被用于高效率的电源转换设备,如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)以及负载开关等场合。SD860YS以其高性能、高可靠性和紧凑的封装形式,成为许多现代电子设备中不可或缺的组件。
类型:双N沟道MOSFET
封装形式:SOP-8(小型双列直插式封装)
最大漏极电流(ID):每通道4A
最大漏极-源极电压(VDS):30V
最大栅极-源极电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):通常为28mΩ(在VGS=10V时)
工作温度范围:-55°C至+150°C
存储温度范围:-65°C至+150°C
最大功耗(PD):1.4W
SD860YS采用先进的沟槽式MOSFET技术,提供极低的导通电阻和高效的功率传输能力。其双路MOSFET结构允许在同一封装中实现两个独立的功率开关,从而节省了电路板空间并简化了设计。该器件的栅极驱动电压范围较宽,可以在4.5V至20V之间工作,使其适用于多种类型的电源管理应用。此外,SD860YS具备良好的热稳定性和过热保护能力,能够在高负载条件下保持稳定运行。
该器件的SOP-8封装形式不仅体积小巧,而且具有良好的散热性能,适合用于紧凑型电子产品设计。其高集成度和高可靠性使其成为许多便携式电子设备、通信设备、工业控制设备和汽车电子系统的理想选择。SD860YS还具备快速开关能力,能够有效减少开关损耗,提高整体系统效率。
此外,SD860YS的制造工艺符合RoHS环保标准,不含有害物质,适用于绿色环保电子产品的设计。
SD860YS广泛应用于各种需要高效功率控制的电子系统中。例如,在电源管理系统中,它可以用于DC-DC升压或降压转换器,实现高效的电压调节;在负载开关电路中,它可用于控制电源的通断,以保护系统免受过载或短路的影响;在电机驱动和LED驱动电路中,它也能提供稳定的功率输出。此外,SD860YS还常用于电池供电设备、智能家电、工业自动化设备以及汽车电子系统中,如车载充电器、电动工具和车载信息娱乐系统等。
Si3442DSV-T1-GE3, FDS6675CZ, IRF7413TRPBF