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SD701V20NBI 发布时间 时间:2025/9/24 8:07:00 查看 阅读:18

SD701V20NBI是一款由华润微电子推出的高性能双通道半桥栅极驱动集成电路,专为驱动功率MOSFET和IGBT等功率器件而设计。该芯片集成了高边和低边两个独立的栅极驱动通道,适用于多种开关电源拓扑结构,如半桥、全桥、推挽以及同步整流电路等。其内置的自举二极管可简化外部电路设计,提高系统集成度和可靠性。SD701V20NBI采用高压电平位移技术,使得高边驱动能够在浮动电源供电下正常工作,从而有效驱动高边功率管。该器件具有宽电压工作范围、高抗干扰能力、快速响应时间等特点,广泛应用于电机控制、DC-DC转换器、逆变器、LED驱动电源及工业自动化设备中。封装形式通常为SOP-8或DIP-8,符合行业标准,便于PCB布局与散热管理。同时,该芯片具备良好的温度稳定性,可在工业级温度范围内可靠运行,满足严苛的环境应用需求。

参数

类型:双通道半桥栅极驱动IC
  通道数:2
  输出配置:高边/低边
  驱动方式:半桥
  工作电压(VDD):10V ~ 20V
  逻辑输入电压兼容:3.3V / 5V
  峰值输出电流:±0.5A(典型值)
  输出上升时间:40ns(典型值)
  输出下降时间:40ns(典型值)
  传播延迟:80ns(典型值)
  隔离电压:不低于1500V(封装特性)
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  封装形式:SOP-8
  内置自举二极管:是

特性

SD701V20NBI的高边驱动采用了先进的电平位移技术,能够实现高压侧功率管的有效驱动,无需额外的辅助电源设计。该技术通过内部高压开关和信号隔离机制,确保高边驱动信号在浮动电源条件下依然保持稳定传输,提升了系统的整体效率和可靠性。
  芯片具备优异的抗噪声性能,得益于其内置的负电压耐受能力和输入滤波设计,能够有效抑制开关过程中的dV/dt噪声干扰,防止误触发现象的发生,特别适用于高频开关和高功率密度应用场景。
  SD701V20NBI的输入逻辑接口兼容TTL和CMOS电平,支持3.3V和5V控制系统直接连接,无需电平转换电路,简化了与MCU或PWM控制器的接口设计,提高了系统集成度。
  该器件具有快速的开关响应能力,上升和下降时间均控制在40ns以内,传播延迟低至80ns,有助于减少开关损耗,提升电源转换效率,尤其适合高频开关电源应用。
  内置的自举二极管不仅节省了外部元件数量,还优化了PCB布局空间,同时降低了因外部二极管失效带来的可靠性风险。该二极管具有低正向压降和高反向耐压特性,确保自举电容充电效率和系统稳定性。
  芯片集成了多种保护功能,包括欠压锁定(UVLO)、过温保护和互锁逻辑,防止上下管直通现象发生,保障功率级的安全运行。此外,其高抗ESD能力和宽工作电压范围增强了在复杂工业环境下的适应性。

应用

SD701V20NBI广泛应用于各类电力电子变换系统中,特别是在需要高效、紧凑型半桥驱动方案的场合。典型应用包括无刷直流电机(BLDC)驱动器、永磁同步电机(PMSM)控制、逆变焊机、感应加热设备以及光伏逆变器等新能源领域。
  在开关电源领域,该芯片常用于LLC谐振变换器、有源钳位反激(ACF)电源、半桥和全桥DC-DC转换器中,作为主功率开关的驱动核心,提供稳定可靠的栅极驱动信号。
  由于其高集成度和高可靠性,SD701V20NBI也适用于工业自动化控制系统中的功率模块驱动,如伺服驱动器、变频器和UPS不间断电源系统。
  在消费类电源产品中,如高端LED恒流驱动电源、快充适配器和服务器电源,该芯片凭借其小体积和高效率优势,成为设计师优选的驱动解决方案之一。
  此外,其工业级温度特性和强抗干扰能力使其在户外电源设备、充电桩和轨道交通等恶劣环境下仍能保持稳定工作,展现出广泛的应用适应性。

替代型号

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