产品型号：CL21C080CBANNNC
　　制造商：Samsung Electro-Mechanics
　　类别：多层陶瓷电容器 (MLCC)
　　电容值：8.0pF
　　额定电压：50V DC
　　温度系数/电介质：C0G (NP0)
　　容差：±0.1pF
　　封装/外壳：0805（2012 公制）
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　温度特性：±30ppm/°C
　　应用等级：工业级
　　安装类型：表面贴装 (SMD)
　　端接：镍障层 + 锡外涂层
　　尺寸：2.0mm × 1.25mm × 1.25mm
　　包装形式：卷带包装（Tape and Reel）

CL21C080CBANNNC采用C0G（NP0）类型的陶瓷介质，这种材料具有极其稳定的介电性能，其电容值在-55°C至+125°C的工作温度范围内变化不超过±30ppm/°C，确保了在各种环境条件下电性能的高度一致性。这一特性使其特别适用于需要精确电容值保持的高频和高稳定性应用场景，如射频放大器的偏置网络、LC谐振回路以及高精度滤波器设计中。
　　该电容器的电容容差控制在±0.1pF以内，体现出极高的制造精度，满足对微小电容值有严格要求的设计需求。例如，在毫米波通信或超高频无线模块中，微小的电容偏差可能导致阻抗失配或频率偏移，而CL21C080CBANNNC的高精度特性可有效避免此类问题。此外，C0G介质本身是非铁电性的，因此不会出现电压依赖性电容下降（即“电压系数”效应），保证了在不同施加电压下电容值的一致性。
　　CL21C080CBANNNC具备低等效串联电阻（ESR）和低等效串联电感（ESL），从而实现高自谐振频率（SRF），使其在GHz频段仍能保持良好的电容行为。这使得它非常适合用于高速数字电路中的去耦、旁路以及RF信号路径中的耦合与调谐。同时，其50V的额定电压提供了足够的安全裕度，适用于多种电源轨和信号线路的保护与滤波。
　　结构上，该器件采用多层叠层设计，内部电极交替排列并烧结成型，增强了机械强度和热循环耐受能力。外部端子采用镍阻挡层加锡镀层结构，有效防止银离子迁移，并兼容无铅回流焊工艺，支持现代绿色电子制造流程。整体设计兼顾了可靠性、可制造性和长期稳定性，是高频模拟和射频系统中理想的微型固定电容器选择。

CL21C080CBANNNC因其出色的稳定性、高精度和高频性能，广泛应用于各类高性能电子系统中。在无线通信领域，它常用于Wi-Fi模块、蓝牙收发器、蜂窝基站前端电路以及5G射频单元中的阻抗匹配网络，帮助实现最大功率传输和最小信号反射。其C0G特性确保在宽温环境下仍能维持电路性能一致，避免因温度波动导致通信质量下降。
　　在射频识别（RFID）、卫星导航（如GPS、北斗）接收机前端电路中，该电容器用于构建LC谐振电路或作为调谐元件，确保接收频率的精准锁定。由于其低损耗和高Q值，有助于提升系统的灵敏度和信噪比。此外，在各类振荡器电路（如VCXO、TCXO中的补偿网络）中，CL21C080CBANNNC用于提供稳定的参考电容，保障时钟信号的频率精度和长期稳定性。
　　在测试与测量仪器中，如示波器、频谱分析仪和信号发生器，该电容器用于精密模拟前端和滤波网络，确保信号保真度。工业控制设备、医疗电子设备以及航空航天电子系统也普遍采用此类高可靠性MLCC，以满足严苛环境下的运行要求。总之，凡是需要高稳定性、低温度漂移和高频响应的场合，CL21C080CBANNNC都是理想的选择。

GRM21BR71H8R0WA01J
　　CC0805JRX7R9BB80
　　C2012X5R1H8R0W