类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：160A（在Tc=25℃时）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为3.7mΩ（在Vgs=10V时）
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　功耗（Pd）：300W
　　漏源击穿电压（BVDSS）：40V
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V至4.0V

SD406SYGWA/S530-E2/S290具备多项先进特性，使其在高性能功率应用中表现出色。首先，该MOSFET采用了东芝的U-MOS VIII-H沟槽技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了整体效率。其次，其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss）特性有助于降低开关损耗，使其适用于高频开关应用。此外，该器件的封装形式（TO-263）具有良好的热管理能力，能够在高功率运行条件下保持稳定的工作温度。
　　该MOSFET的高雪崩能量耐受能力确保了其在极端条件下的可靠运行，适用于可能出现瞬态电压或电流冲击的应用场景。此外，SD406SYGWA/S530-E2/S290还具备优异的抗短路性能，进一步增强了其耐用性和安全性。最后，该器件的宽工作温度范围（-55℃至+175℃）使其适用于严苛的工业和汽车应用环境。

SD406SYGWA/S530-E2/S290 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统。其主要应用包括电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器以及各种高功率电池供电设备。此外，该MOSFET也广泛用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电池管理系统（BMS）。由于其低导通电阻和高电流处理能力，该器件在服务器电源、电信设备和工业自动化系统中也得到了广泛应用。

SiS8410BNT-T1-GE3
　　IPD90P03P4-03