类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：60A（@25°C）
　　导通电阻（RDS(ON)）：4.5mΩ（@VGS=10V）
　　功耗（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-220AB
　　封装类型：分立式功率MOSFET

FD3055SM的主要特性之一是其非常低的导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。其RDS(ON)在VGS为10V时仅为4.5mΩ，使得该器件在高电流应用中表现优异。
　　此外，FD3055SM具备出色的热性能，其封装设计能够有效地将热量从芯片传导出去，从而保证在高功率密度应用中的可靠性。该器件的TO-220AB封装形式广泛用于工业和消费类电子产品，具有良好的散热能力和机械稳定性。
　　FD3055SM的高栅极电压容限（±20V）使其在各种驱动条件下都能保持稳定运行，避免因栅极电压波动而导致的误操作或器件损坏。此外，其快速开关特性有助于减少开关损耗，从而提高系统的工作效率。
　　该MOSFET还具有良好的短路耐受能力，能够在极端条件下提供一定的保护功能。这使得FD3055SM非常适合用于需要高可靠性的应用，如汽车电子系统和工业控制设备。

FD3055SM广泛应用于多种功率电子系统中，包括DC-DC转换器、负载开关、马达控制、电源管理模块以及电池供电设备等。在DC-DC转换器中，FD3055SM可用于高侧或低侧开关，实现高效的能量转换。由于其低导通电阻和高电流承载能力，特别适合用于需要高效率和高功率密度的设计。
　　在负载开关应用中，FD3055SM可作为主开关器件，控制电源的通断，适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备的电源管理系统。此外，该器件还可用于电动工具、电动车、UPS不间断电源等设备的马达控制电路中，提供高效的功率控制解决方案。
　　FD3055SM也适用于需要高可靠性和稳定性的工业控制系统，如自动化设备、工业机器人和智能家电等。其高耐压能力和良好的热性能使其能够在恶劣的工作环境中稳定运行。

IRF3055, FDP3055, STP60NF03, FDP35N03, NTD5803