时间：2025/8/15 5:54:34
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SD360S是一款由半导体厂商设计的功率开关器件，广泛用于电源管理、直流-直流转换器、负载开关和电机驱动等应用中。作为一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），它具有低导通电阻、高效率和快速开关特性，适用于高频率工作的电路设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：6.5A
最大漏-源电压（VDS）：30V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大30mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
SD360S具有较低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。它支持较高的工作电压和电流，适合多种功率应用。此外，其快速开关特性使其适用于高频开关电路，从而可以减小外部电感和电容的尺寸，提高系统集成度。
该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供良好的热稳定性和可靠性。其封装形式（TO-252）便于安装在PCB上，并具备良好的散热性能。SD360S还具有较高的抗静电能力和过热保护功能，确保在严苛环境下的稳定运行。
在栅极驱动方面，SD360S可在较低的栅极电压下工作，兼容常见的驱动电路设计，同时保持较低的开关损耗。这使得它成为电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用的理想选择。
SD360S广泛应用于各种电子设备中，包括电源管理模块、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器以及工业自动化控制系统。由于其高效率和紧凑的封装设计，该器件也常见于便携式电子产品、汽车电子系统和消费类电器中。
Si4410BDY, IRF3703PBF, FDS6680, AO4407
