SD323WV36C100RT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够有效提升系统的效率并降低功耗。
该芯片为 N 沟道增强型 MOSFET,适用于高电流和高频率的应用场合,其封装形式为 TO-220,适合表面贴装或通孔安装。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:18A
导通电阻:0.18Ω
栅极电荷:45nC
开关速度:超快恢复
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-220
SD323WV36C100RT 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗,并提高整体效率。
2. 快速开关能力,支持高频应用,从而减小外部元件体积。
3. 高耐压设计,确保在高压环境下的稳定运行。
4. 内置 ESD 保护功能,提高了器件的抗静电能力。
5. 宽工作温度范围,能够在极端环境下保持性能。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
这款 MOSFET 主要用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计中的主开关管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流电路。
3. 电机驱动和控制电路中的功率开关。
4. UPS 不间断电源系统中的功率级管理。
5. 光伏逆变器和其他新能源设备中的功率转换模块。
6. 各类工业自动化控制系统中的负载切换和驱动电路。
IRF840, FQP17N60, STP17NF06L