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SD323WV15C010BT 发布时间 时间:2025/6/4 9:13:18 查看 阅读:6

SD323WV15C010BT是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先进的制造工艺,主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该器件具有低导通电阻和高效率的特点,能够显著降低功耗并提升系统的整体性能。
  这款MOSFET属于N沟道增强型器件,其封装形式为行业标准的TO-263(DPAK),适合表面贴装技术(SMT)应用,同时具备良好的散热性能。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:27A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:48nC
  开关速度:典型值10ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 高雪崩能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  3. 快速开关特性,支持高频应用,减少磁性元件体积。
  4. 具备出色的热稳定性,即使在高温环境下也能保持性能。
  5. 符合RoHS标准,环保且适用于广泛的工业领域。

应用

SD323WV15C010BT广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动电路
  4. 负载开关
  5. 汽车电子系统中的电池管理
  6. 工业控制设备
  由于其高效能表现,特别适合需要高效率和紧凑设计的应用场景。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  AO3400

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