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SD323WV08C010BT 发布时间 时间:2025/6/3 20:44:15 查看 阅读:3

SD323WV08C010BT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。这款芯片采用先进的制程工艺制造,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其设计旨在提高能效并减少功率损耗,适合多种工业及消费电子应用。

参数

类型:MOSFET
  封装:TO-252
  最大漏源电压(Vdss):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):32A
  导通电阻(Rds(on)):1.0mΩ
  栅极电荷(Qg):38nC
  工作温度范围(Ta):-55℃ 至 +175℃

特性

SD323WV08C010BT 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可显著降低功率损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关能力使得它在高频应用中表现出色。
  3. 强大的电流承载能力确保了器件在高负载条件下的稳定性。
  4. 宽工作温度范围使其能够适应各种恶劣环境。
  5. 稳定的电气特性和可靠性设计保证了长期使用中的性能一致性。
  6. 小型化封装有助于节省 PCB 空间,并简化系统设计。
  这些特点使 SD323WV08C010BT 成为许多高效能功率转换应用的理想选择。

应用

该芯片适用于以下应用场景:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流管或上桥臂开关。
  3. 各类电机驱动电路中的功率输出级。
  4. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关或保护开关。
  5. 汽车电子设备中的大电流控制。
  由于其出色的性能和可靠性,SD323WV08C010BT 在工业自动化、通信设备以及家用电器等领域都有广泛应用。

替代型号

SDM32N08L, IRFZ44N, FDP5500

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