时间：2025/7/23 22:10:34
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SD2931-10 是一款由 Silicon Devices（硅器件公司）设计和制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率、高频开关应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器、电池管理系统以及工业自动化控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：120A（Tc=25℃）
功耗(Pd)：300W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装类型：TO-264
导通电阻(Rds(on))：最大5.5mΩ @Vgs=10V
阈值电压(Vgs(th))：2.0V ~ 4.0V
SD2931-10 MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，使其在高电流和高电压环境下依然保持优异的导通性能。其低导通电阻（Rds(on)）有效减少了导通损耗，提高了系统效率。
该器件的封装形式为TO-264，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。此外，其栅极驱动电压范围宽（±20V），确保在各种开关条件下都能稳定工作。
SD2931-10的热稳定性优异，能够在高温环境下持续运行，适用于严苛的工业环境。同时，该MOSFET具备较高的雪崩能量承受能力，提升了器件在电压突变情况下的可靠性。
此外，SD2931-10的封装符合RoHS环保标准，无铅且符合国际环保法规，适用于绿色电子产品设计。
SD2931-10 主要应用于高功率电源系统，如服务器电源、通信电源、UPS不间断电源、电动工具、电动车电池管理系统（BMS）以及DC-DC转换器等。
在电机控制领域，SD2931-10可作为H桥驱动的核心开关器件，用于控制电机的正反转及调速，具有响应快、效率高的特点。
此外，该MOSFET也广泛用于工业自动化设备、太阳能逆变器、储能系统以及高功率LED驱动电路中，满足对高效率、高可靠性的需求。
由于其良好的热管理和低导通损耗特性，SD2931-10也常用于高频开关电源（SMPS）中，提升整体系统的能效表现。
IRFP2907PBF, IPP120N10N3G, FDP120N10
