类型: NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）: 25V
　　集电极-基极电压（VCBO）: 30V
　　发射极-基极电压（VEBO）: 3V
　　最大集电极电流（IC）: 100mA
　　功率耗散（PD）: 300mW
　　工作温度范围: -65°C至+200°C
　　频率范围（fT）: 100MHz
　　增益带宽积（fT）: 100MHz
　　噪声系数（NF）: 1.5dB（典型值）
　　电流增益（hFE）: 50-300（根据工作电流和配置不同）

2N3867A晶体管的主要特性之一是其优异的高频性能，能够在高达100MHz的频率下保持良好的增益稳定性。这使得它非常适合用于射频放大器和中频放大器电路。此外，2N3867A具有较低的噪声系数，典型值为1.5dB，这在接收机前端和低噪声放大电路中尤为重要。
　　另一个显著特点是其良好的增益线性度和稳定性，这使得2N3867A在需要高保真信号放大的应用中表现出色。晶体管的电流增益（hFE）范围为50到300，具体值取决于工作电流和电路配置。该器件的封装形式为TO-72金属封装，具备良好的热稳定性和机械强度，适合在多种环境条件下使用。
　　2N3867A的最大集电极-发射极电压为25V，最大集电极电流为100mA，功率耗散能力为300mW，这些参数使其能够在中等功率的放大和开关应用中可靠运行。此外，该晶体管的工作温度范围较宽，从-65°C到+200°C，适合在极端环境条件下使用。

2N3867A广泛应用于射频和中频放大器电路，尤其是在通信设备、接收机和发射机中。由于其低噪声系数和高增益特性，常用于接收机的前端放大器以提高信号灵敏度。此外，它也适用于音频放大器、信号发生器、测试设备和各种电子控制系统中的高频信号处理电路。
　　在实际应用中，2N3867A通常用于构建共发射极放大器、射极跟随器和差分放大器等电路结构。其高频响应和稳定性也使其成为振荡器和调制器电路的理想选择。由于其TO-72金属封装形式，2N3867A也适合在需要良好散热性能的应用中使用。

2N3867, 2N3904, BF199, BF200