时间：2025/8/4 15:05:07
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SD18C.TCT 是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于需要高效率和高速开关性能的应用。该器件由 Vishay Semiconductors 生产，属于用于电源管理和功率转换领域的标准组件。SD18C.TCT 采用先进的制造工艺，确保其在高温和高负载条件下仍能保持稳定的性能。它具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关速度的特点，适合用于DC-DC转换器、电源管理和电池供电设备中的功率开关。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：20V
最大漏极电流(Id)：18A（最大值，根据条件）
导通电阻(Rds(on))：在Vgs=4.5V时约为18mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：约13nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TDFN（双侧散热）
安装类型：表面贴装（SMD）
功耗(Pd)：3.4W（最大值，根据条件）
最大栅源电压(Vgs)：±12V
SD18C.TCT 的主要特性之一是其非常低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。它在4.5V的栅极驱动电压下能够完全导通，因此非常适合用于低压电源管理系统。此外，该器件具有较高的电流处理能力，能够在18A的漏极电流下正常工作，使其适用于需要高电流输出的电源设计。其TDFN封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，还提供了良好的散热性能，以确保在高功率条件下器件的可靠性。SD18C.TCT 还具有快速的开关速度，使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和负载开关。此外，该MOSFET的栅极电荷较低，减少了开关损耗，并提高了整体系统效率。其工作温度范围广泛，可以在极端环境下稳定运行，从而增强了其在工业和汽车应用中的适用性。
SD18C.TCT 广泛应用于需要高效率和紧凑设计的功率电子系统中。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电源管理系统、电池充电器、负载开关、电机驱动器以及各类便携式电子设备的功率控制电路。由于其低导通电阻和高速开关特性，该器件特别适合用于提高能效和减少发热的设计。此外，在汽车电子系统中，例如车载电源管理系统和LED照明驱动电路中，SD18C.TCT 也表现出色。由于其封装小巧且具有良好的热性能，该MOSFET还适用于空间受限但需要高功率密度的电路设计。
Si2302DS-T1-GE3, BSS138K, IRML2803, AO3400A, FDS6680, NVTFS5C471NLWTAG
