SD1271D3W是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效能功率开关芯片,适用于高频率、高效率的电源转换场景。该芯片集成了先进的驱动和保护功能,能够显著降低开关损耗并提升整体系统性能。其封装形式紧凑,适合于小型化设计需求,广泛应用于快充适配器、LED驱动器以及DC-DC转换器等设备。
SD1271D3W通过优化栅极驱动特性,支持高频工作模式,同时具备出色的热管理和电气稳定性,确保在复杂工况下的可靠运行。
型号:SD1271D3W
类型:GaN 功率开关
封装:DFN5*6-8L
最大漏源电压:650V
导通电阻:120mΩ
连续漏极电流:8A
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
开关频率:高达 5MHz
静态功耗:小于 150μA
SD1271D3W采用了最新的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)技术,具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 支持高频操作,可实现更小的磁性元件设计,从而减小体积和重量。
3. 内置过温保护、过流保护和短路保护等功能,提升了系统的安全性与可靠性。
4. 封装尺寸小巧,便于集成到空间受限的应用中。
5. 兼容传统硅基MOSFET的驱动条件,简化了设计迁移过程。
此外,SD1271D3W还针对快速充电市场进行了优化,特别适合USB PD协议下的多档位输出应用。
SD1271D3W主要应用于以下几个领域:
1. USB-PD快充适配器:提供高效的电能转换,满足多协议兼容的需求。
2. LED照明驱动:用于高性能LED恒流驱动电路,保证亮度稳定性和能效比。
3. 便携式电子设备电源:如笔记本电脑、平板电脑等的外置充电器。
4. 开关电源(SMPS):包括AC-DC和DC-DC变换器,尤其是在高密度电源模块中表现优异。
5. 工业控制及消费类电子产品中的辅助电源部分。
SD1270D3W
STBG60G65CDS
GAN062-65WSA