时间：2025/8/14 5:50:24
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SD107WS T/R 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的双串联 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），封装形式为 TSOP（薄型小外形封装），适用于需要高效率和低功耗的电源管理应用。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和高开关性能。T/R 后缀表示该器件是以卷带（Tape and Reel）形式供应，适合自动化贴片生产。
类型：N 沟道 MOSFET（双串联）
漏源电压（VDS）：20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：600mA
导通电阻（RDS(on)）：3.2Ω @ VGS = 4.5V
功率耗散：300mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TSOP
引脚数：6
SD107WS T/R 采用先进的沟槽型 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻，有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统效率。
该器件的栅极驱动电压范围宽广，支持在低电压条件下稳定运行，适合电池供电设备或低功耗系统使用。
其双串联结构设计使得在一个封装内实现两个 N 沟道 MOSFET 的串联连接，适用于负载开关、DC-DC 转换器以及电源管理电路等场景。
TSOP 封装具有较小的体积和良好的热性能，适合高密度 PCB 布局，并能有效散热。
此外，该器件具有较高的可靠性，符合 RoHS 环保标准，适用于工业级和消费类电子产品。
SD107WS T/R 主要应用于便携式电子设备中的电源管理系统，如智能手机、平板电脑、穿戴设备等，用于实现高效的电压调节和电源开关控制。
在 DC-DC 转换器中，该器件可作为同步整流器使用，提升转换效率并减少发热。
其低导通电阻和小封装特性使其非常适合用于 LED 驱动电路、电池充电管理电路以及负载开关控制。
此外，该 MOSFET 可用于电机驱动、传感器控制、继电器替代电路等工业自动化和消费类电子产品中。
Si2302DS, BSS138LT1G, 2N7002E, FDV301N
