电容值：0.01 μF
　　容差：±20%
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，电容变化不超过±15%）
　　额定电压：50 V DC
　　封装尺寸：0805（2.0 mm × 1.2 mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：钡钛酸盐陶瓷
　　端接结构：镍阻挡层/锡外电极（Ni-Sn）
　　绝缘电阻：≥10,000 MΩ 或 C×V ≥ 500 Ω·F
　　使用寿命：在额定电压与最高工作温度下可连续运行1000小时以上，性能衰减符合行业标准
　　老化率：≤2.5% 每十年（典型值）
　　等效串联电阻（ESR）：典型值小于100 mΩ（具体依频率而定）
　　等效串联电感（ESL）：典型值约0.4 nH
　　降额要求：建议在高温或高纹波电流条件下将工作电压降至额定值的70%-80%以延长寿命

SD105-103MLD 多层陶瓷电容器具备优异的电气稳定性和机械可靠性，在多种环境条件下均能维持稳定的电容性能。其核心特性之一是X7R型介电材料的应用，这种材料能够在宽温度范围内（-55°C至+125°C）保持电容值的变化控制在±15%以内，远优于Z5U或Y5V等通用类别，因此更适合对温度敏感的应用场景。
　　该器件采用先进的叠层制造工艺，内部由数十甚至上百层交替排列的陶瓷介质与内电极构成，显著提升了单位体积下的电容密度，同时有效降低等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），使其在高频去耦应用中表现出色，例如为高速数字IC提供稳定的电源噪声抑制。此外，其0805小型化封装兼顾了焊接可靠性和布局灵活性，适用于高密度PCB设计。
　　SD105-103MLD还具备良好的抗湿性和耐热冲击能力，经过严格的回流焊兼容性测试，支持无铅焊接工艺（峰值温度可达260°C，持续时间≤30秒），确保SMT生产线的良品率。其镍阻挡层电极设计可有效防止银离子迁移，提高长期使用的绝缘性能和耐久性。在直流偏置方面，尽管X7R材料存在一定的电压系数（即施加电压后电容下降），但在50V额定电压下，0.01μF容量仍能保持较高比例的有效电容输出。
　　此电容器符合RoHS环保指令要求，不含铅、镉、六价铬等有害物质，并通过AEC-Q200等可靠性认证的可能性较高，可用于汽车电子系统。此外，它具有低磁滞损耗和高绝缘电阻，适用于精密模拟电路中的耦合与滤波任务。整体而言，该器件结合了高性能、小尺寸和高可靠性，是现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

SD105-103MLD 广泛应用于各类需要稳定电容性能的电子电路中，尤其适合作为高频去耦电容使用在微处理器、FPGA、ASIC等高速数字芯片的电源引脚附近，用以滤除高频噪声并稳定供电电压。在开关电源系统中，该电容器可用于输入/输出滤波环节，配合电感和其他元件组成LC滤波网络，有效抑制电磁干扰（EMI）并平滑电压波动。
　　在DC-DC转换器模块中，SD105-103MLD凭借其低ESR和快速响应特性，能够承受较高的纹波电流而不发生过热或性能退化，从而提升电源效率与系统稳定性。此外，该器件也常见于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、路由器和电视主板中，用于旁路、耦合和去耦功能。
　　在工业控制领域，该电容器被用于PLC、传感器接口电路和电源管理单元中，因其宽温特性和长期稳定性而受到青睐。汽车电子系统，如车载信息娱乐系统、ADAS模块和车身控制器，也可能采用此类器件以满足严苛的工作环境要求。
　　此外，SD105-103MLD还可用于射频（RF）电路中的阻抗匹配网络、定时电路以及跨接在晶振两端作为负载电容的一部分。其非极性特点使其安装无需考虑方向，简化了PCB布局与装配流程。总体来看，该元件适用于任何需要小型化、高可靠性和良好频率响应的场景，是现代电子设计中的关键被动元件之一。

GRM21BR71H103KA01L
　　CL21A106KOQNNNE
　　C2012X7R1H103K
　　CC0805JRX7R9BB103
　　TC-321B103M-B