SD04H0SB 时间：2025/12/26 11:53:20 阅读：10

SD04H0SB是一款由赛晶电力电子集团（Segate Semiconductor）推出的高性能硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率场效应晶体管（FET），专为高效率、高频开关电源应用而设计。该器件采用先进的氮化镓半导体技术，相较于传统硅基MOSFET，在开关速度、导通电阻和开关损耗方面具有显著优势，适用于追求小型化、高功率密度的现代电源系统。SD04H0SB的封装形式为DFN5*6或类似的小型表面贴装封装，具备良好的热性能和电气性能，适合在紧凑型PCB布局中使用。其主要目标市场包括消费类电子快充适配器、数据中心电源、无线充电、光伏逆变器以及工业电源模块等。该器件在设计上优化了栅极驱动兼容性，可与常见的驱动IC配合使用，同时具备一定的抗dv/dt能力和可靠性保障机制，以应对实际应用中的电磁干扰和瞬态应力。

参数

类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（V_DS）：400 V
　　连续漏极电流（I_D）@25°C：13 A
　　脉冲漏极电流（I_DM）：52 A
　　导通电阻（R_DS(on)）@4.5V V_GS：40 mΩ
　　栅源阈值电压（V_GS(th)）：1.4 V ~ 2.0 V
　　输入电容（C_iss）：1020 pF @ 100V V_DS
　　输出电容（C_oss）：185 pF @ 100V V_DS
　　反向恢复电荷（Q_rr）：0 C
　　最大工作结温（T_j）：150 °C
　　封装类型：DFN5*6（5 mm x 6 mm）
　　栅极驱动电压推荐范围：4.5 V ~ 6 V
　　关断时间（t_off）：约10 ns
　　开启时间（t_on）：约8 ns

特性

SD04H0SB的核心优势在于其基于氮化镓材料的物理特性所带来的卓越开关性能。氮化镓作为一种宽禁带半导体材料，具有比硅更高的电子迁移率和临界电场强度，这使得该器件能够在更高的频率下工作，同时保持较低的导通和开关损耗。这种低损耗特性直接提升了电源系统的整体能效，尤其是在高频率软开关拓扑如LLC谐振变换器或有源钳位反激（ACF）电路中表现尤为突出。
　　该器件的导通电阻仅为40mΩ，在400V耐压等级的功率器件中处于领先水平，有助于减少传导过程中的I2R损耗，从而降低温升并提升系统可靠性。此外，由于氮化镓FET为单极性器件，不存在体二极管，因此不会产生传统MOSFET中存在的反向恢复电荷（Q_rr），极大减少了开关过程中的能量损耗和EMI噪声，避免了因反向恢复引起的电流尖峰和桥臂直通风险，提高了系统的稳定性与安全性。
　　SD04H0SB支持高达13A的连续漏极电流，并具备优异的热阻特性，通过底部散热焊盘可有效将热量传导至PCB，实现高效散热。其小型DFN封装不仅节省空间，还降低了寄生电感，有利于高频运行下的电磁兼容性优化。器件的栅极驱动电压范围设计为4.5V~6V，兼容主流控制器输出，同时内置一定的静电放电（ESD）保护能力，提升了现场操作的鲁棒性。在可靠性方面，赛晶对产品进行了严格的寿命测试和高温高压栅极偏置（HVGB）验证，确保其在长期运行中的稳定性和耐用性。

应用

SD04H0SB广泛应用于各类高效率、高频率的电力转换场景。在消费电子领域，它被用于65W及以上的大功率USB PD快充充电器中，作为主开关管或同步整流器件，帮助实现超小型化设计和超高功率密度（如超过1W/cm3）。在通信电源和数据中心服务器电源中，该器件可用于PFC（功率因数校正）级或DC-DC转换级，提升整体能效至95%以上，满足能源之星或80 PLUS钛金标准要求。
　　在新能源领域，SD04H0SB适用于光伏微型逆变器和储能系统的DC-AC逆变电路，利用其快速开关能力和低损耗特性提高能量转换效率。工业电源模块、LED驱动电源以及电动工具充电系统也越来越多地采用此类氮化镓器件，以实现更轻便、更高效的解决方案。此外，在无线充电发射端电路中，其高频响应能力能够支持更高功率的磁共振或磁感应方案，提升传输效率与距离。
　　由于其优异的动态性能和紧凑封装，SD04H0SB特别适合用于采用平面变压器和高度集成化设计的先进电源架构。无论是用于AC-DC、DC-DC还是DC-AC拓扑结构，该器件都能显著提升系统性能，是替代传统超结MOSFET的理想选择。