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SCV70521DQ005R2G 发布时间 时间:2025/4/30 10:00:08 查看 阅读:5

SCV70521DQ005R2G 是一款基于硅技术的高效能功率 MOSFET 芯片,主要用于开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统效率并降低能量损耗。
  这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,其优化设计使其在高频应用中表现出色,同时具有良好的热稳定性和可靠性。

参数

型号:SCV70521DQ005R2G
  类型:N沟道 MOSFET
  漏源极电压(Vds):700V
  连续漏极电流(Id):5.2A
  导通电阻(Rds(on)):450mΩ(最大值,典型值为350mΩ)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):3V~6V
  功耗(Ptot):14W
  工作温度范围:-55℃~+175℃

特性

SCV70521DQ005R2G 具有以下关键特性:
  1. 高耐压能力,支持高达 700V 的漏源极电压,适用于高电压应用场景。
  2. 极低的导通电阻(典型值为 350mΩ),有效减少传导损耗,提升整体效率。
  3. 快速开关性能,降低开关损耗,适合高频应用。
  4. 出色的热稳定性,在高温环境下依然保持可靠运行。
  5. 小尺寸封装设计,节省 PCB 空间。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

SCV70521DQ005R2G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC 转换器,用于电压调节和稳压。
  3. 电机驱动电路,提供高效的功率控制。
  4. 逆变器及 UPS 系统中的核心功率元件。
  5. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
  6. 汽车电子系统中的负载开关与保护电路。

替代型号

SCV70521DQ005R2T, SCV70521DQ005R2H

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