时间：2025/4/30 10:00:08
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SCV70521DQ005R2G 是一款基于硅技术的高效能功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换等应用领域。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统效率并降低能量损耗。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，其优化设计使其在高频应用中表现出色，同时具有良好的热稳定性和可靠性。
型号：SCV70521DQ005R2G
类型：N沟道 MOSFET
漏源极电压(Vds)：700V
连续漏极电流(Id)：5.2A
导通电阻(Rds(on))：450mΩ（最大值，典型值为350mΩ）
栅极阈值电压(Vgs(th))：3V~6V
功耗(Ptot)：14W
工作温度范围：-55℃~+175℃
SCV70521DQ005R2G 具有以下关键特性：
1. 高耐压能力，支持高达 700V 的漏源极电压，适用于高电压应用场景。
2. 极低的导通电阻（典型值为 350mΩ），有效减少传导损耗，提升整体效率。
3. 快速开关性能，降低开关损耗，适合高频应用。
4. 出色的热稳定性，在高温环境下依然保持可靠运行。
5. 小尺寸封装设计，节省 PCB 空间。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
SCV70521DQ005R2G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器，用于电压调节和稳压。
3. 电机驱动电路，提供高效的功率控制。
4. 逆变器及 UPS 系统中的核心功率元件。
5. 各种工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的负载开关与保护电路。
SCV70521DQ005R2T, SCV70521DQ005R2H
