G5250Q1T73U 时间：2025/5/30 10:49:31 阅读：7

G5250Q1T73U是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关晶体管，专为高频、高效率应用场景设计。该器件采用先进的封装技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于各种电源转换和射频应用领域。其高可靠性和出色的热性能使其成为下一代电力电子系统的核心元件。

参数

型号：G5250Q1T73U
　　类型：增强型场效应晶体管 (eGaN FET)
　　工作电压：650V
　　连续漏极电流：8A
　　导通电阻：70mΩ（典型值）
　　栅极电荷：35nC（最大值）
　　开关速度：超高
　　封装形式：TO-247-4L

特性

G5250Q1T73U的最大特点是其基于氮化镓材料制造，相比传统的硅基MOSFET，具备更低的导通电阻和更高的开关频率。这使得它在硬开关和软开关拓扑中表现出卓越的效率。此外，该器件的栅极驱动要求与传统MOSFET兼容，简化了设计流程。
　　该芯片还具有以下优势：
　　1. 减少了寄生电感的影响，提高了系统的整体可靠性。
　　2. 内置ESD保护功能，增强了对静电放电的耐受能力。
　　3. 热阻较低，能够有效散发热量，从而支持更高功率密度的应用场景。
　　4. 工作温度范围宽广，能够在-40℃至+125℃的环境下稳定运行。

应用

G5250Q1T73U广泛应用于多种高性能电力电子设备中，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于提高电源转换效率，降低能耗。
　　2. 电动汽车充电器：支持更快的充电速度和更小的体积。
　　3. 太阳能逆变器：优化能量传输效率，提升发电收益。
　　4. 数据中心供电模块：满足高功率密度需求的同时，减少散热成本。
　　5. 射频功率放大器：提供更高的频率响应和线性度。