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SCTWA50N120 发布时间 时间:2025/7/22 21:03:55 查看 阅读:5

SCTWA50N120 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的高功率碳化硅(SiC)MOSFET晶体管,设计用于高电压和高效率的电力电子应用。该器件的漏源电压(VDS)额定值为1200V,漏极电流(ID)为50A,适用于需要高开关频率和低导通损耗的应用场景。SCTWA50N120 采用先进的SiC技术,具有出色的热性能和高可靠性。

参数

型号:SCTWA50N120
  制造商:STMicroelectronics
  晶体管类型:SiC MOSFET
  漏源电压(VDS):1200V
  漏极电流(ID):50A
  栅极阈值电压(VGS(th)):典型值为2.8V @ 100μA
  导通电阻(RDS(on)):典型值为40mΩ @ VGS=15V
  最大栅极电压:±20V
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:TO-247AC
  功耗(Ptot):典型值为300W

特性

SCTWA50N120 的主要特性之一是其基于碳化硅(SiC)的半导体技术,使得该器件能够在高频下运行并显著降低开关损耗。由于SiC材料的宽禁带特性,该MOSFET能够在高温环境下保持稳定的工作性能,并提供优异的热管理能力。
  其次,SCTWA50N120 具有较低的导通电阻(RDS(on)),在15V栅极电压下仅40mΩ,这有助于降低导通损耗,提高整体系统效率。同时,其栅极阈值电压为2.8V,确保在标准栅极驱动条件下能够可靠导通。
  此外,该器件的封装采用TO-247AC形式,具备良好的热传导性能,适用于高功率密度设计。其高耐压能力(1200V)和大电流承载能力(50A)使其非常适合用于电动汽车充电系统、太阳能逆变器、工业电机驱动和电源转换系统等应用。
  安全性方面,SCTWA50N120 提供了良好的短路耐受能力和过热保护特性,确保在极端工况下仍能维持稳定运行。

应用

SCTWA50N120 主要应用于需要高电压、高效率和高频开关性能的电力电子系统中。例如,在电动汽车(EV)充电设备中,该器件可用于AC-DC或DC-DC转换器部分,以提高转换效率并减小系统体积。在太阳能逆变器中,SCTWA50N120 可用于主逆变电路,实现更高的能量转换效率和更低的热量损耗。
  工业电源系统如不间断电源(UPS)、电机驱动器和电能质量调节设备也是该器件的典型应用场景。此外,SCTWA50N120 还可用于高功率开关电源(SMPS)设计,满足对高效能和紧凑型电源系统的需求。
  得益于其高可靠性和优异的热稳定性,SCTWA50N120 也适用于轨道交通、智能电网和储能系统等高端电力电子应用领域。

替代型号

SCT20N120, SCT30N120, SCT40N120

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SCTWA50N120参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥306.31000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss)1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)65A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)69 毫欧 @ 40A,20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)122 nC @ 20 V
  • Vgs(最大值)+25V,-10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1900 pF @ 400 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)318W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 200°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装HiP247?
  • 封装/外壳TO-247-3