时间：2025/7/22 21:03:55
阅读：7
SCTWA50N120 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）推出的高功率碳化硅（SiC）MOSFET晶体管，设计用于高电压和高效率的电力电子应用。该器件的漏源电压（VDS）额定值为1200V，漏极电流（ID）为50A，适用于需要高开关频率和低导通损耗的应用场景。SCTWA50N120 采用先进的SiC技术，具有出色的热性能和高可靠性。
型号：SCTWA50N120
制造商：STMicroelectronics
晶体管类型：SiC MOSFET
漏源电压（VDS）：1200V
漏极电流（ID）：50A
栅极阈值电压（VGS(th)）：典型值为2.8V @ 100μA
导通电阻（RDS(on)）：典型值为40mΩ @ VGS=15V
最大栅极电压：±20V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-247AC
功耗（Ptot）：典型值为300W
SCTWA50N120 的主要特性之一是其基于碳化硅（SiC）的半导体技术，使得该器件能够在高频下运行并显著降低开关损耗。由于SiC材料的宽禁带特性，该MOSFET能够在高温环境下保持稳定的工作性能，并提供优异的热管理能力。
其次，SCTWA50N120 具有较低的导通电阻（RDS(on)），在15V栅极电压下仅40mΩ，这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。同时，其栅极阈值电压为2.8V，确保在标准栅极驱动条件下能够可靠导通。
此外，该器件的封装采用TO-247AC形式，具备良好的热传导性能，适用于高功率密度设计。其高耐压能力（1200V）和大电流承载能力（50A）使其非常适合用于电动汽车充电系统、太阳能逆变器、工业电机驱动和电源转换系统等应用。
安全性方面，SCTWA50N120 提供了良好的短路耐受能力和过热保护特性，确保在极端工况下仍能维持稳定运行。
SCTWA50N120 主要应用于需要高电压、高效率和高频开关性能的电力电子系统中。例如，在电动汽车（EV）充电设备中，该器件可用于AC-DC或DC-DC转换器部分，以提高转换效率并减小系统体积。在太阳能逆变器中，SCTWA50N120 可用于主逆变电路，实现更高的能量转换效率和更低的热量损耗。
工业电源系统如不间断电源（UPS）、电机驱动器和电能质量调节设备也是该器件的典型应用场景。此外，SCTWA50N120 还可用于高功率开关电源（SMPS）设计，满足对高效能和紧凑型电源系统的需求。
得益于其高可靠性和优异的热稳定性，SCTWA50N120 也适用于轨道交通、智能电网和储能系统等高端电力电子应用领域。
SCT20N120, SCT30N120, SCT40N120
