时间：2025/4/29 17:44:55
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SCTWA20N120 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于需要高效能的电力转换应用中。
该 MOSFET 的电压等级为 120V，能够满足多种工业和消费类电子设备的需求，例如开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等。
最大漏源电压：120V
连续漏极电流：20A
导通电阻（典型值）：3.5mΩ
栅极电荷：46nC
开关速度：快速
封装形式：TO-247
SCTWA20N120 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可降低功耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，使其适用于大功率应用场景。
3. 快速开关性能，有助于减少开关损耗。
4. 强大的雪崩能力，提升了器件在异常条件下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品使用需求。
SCTWA20N120 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. 各种类型的 DC-DC 转换器，包括降压、升压及反激式拓扑结构。
3. 工业电机驱动中的功率级元件。
4. 电动车充电器和其他需要高效能功率管理的设备。
5. 可再生能源系统，如太阳能逆变器中的功率开关元件。
STW85N120H5
IXYS IXFN120N20T2
Fairchild FCH26N120B
Infineon IKW20N120E5
