时间：2025/4/28 18:40:12
阅读：2
WP26DK-S024VA3-R15000 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高效率的特点，适合要求高可靠性和高效能的应用场景。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，具有快速开关速度和低栅极电荷特性，能够显著降低开关损耗，提升整体系统性能。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ
栅极电荷
总电容(Ciss)：4000pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
WP26DK-S024VA3-R15000 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高额定电流能力，支持大功率应用。
3. 快速开关速度和低栅极电荷，有效降低开关损耗。
4. 优化的热设计，确保在高温环境下的稳定运行。
5. 宽广的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
这些特性使得 WP26DK-S024VA3-R15000 成为工业级和汽车级应用的理想选择。
WP26DK-S024VA3-R15000 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)，如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动，包括无刷直流电机 (BLDC) 和步进电机。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 太阳能逆变器和储能系统。
5. 汽车电子系统，如电动助力转向 (EPS) 和电池管理系统 (BMS)。
6. 高效负载点 (POL) 转换器。
其高功率密度和优异的热性能使其非常适合需要高效率和紧凑设计的应用场景。
IRF3205, SI4860DY, FDP16N06L
