时间：2025/5/19 16:15:14
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SCTH35N65G2V-7AG 是一款由 SemiCraft 推出的高压 N 沟道增强型 MOSFET 芯片，专为高频开关和高功率应用设计。该器件采用先进的沟槽栅极技术制造，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，适用于要求高效率和高性能的场合。其额定电压为 650V，持续漏极电流可达 35A，非常适合用于电源转换、电机驱动和工业控制等领域。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：35A
导通电阻（典型值）：140mΩ
栅极电荷：85nC
输入电容：2100pF
开关速度：快速
封装类型：TO-247
SCTH35N65G2V-7AG 具备以下主要特性：
1. 高击穿电压：高达 650V 的漏源电压确保了在高压环境下的稳定工作。
2. 低导通电阻：典型值为 140mΩ，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能：低栅极电荷和快速开关能力使其非常适合高频应用。
4. 高可靠性：通过严格的测试和质量控制流程，确保在各种恶劣条件下的长期稳定性。
5. 热性能优异：优化的封装设计和低热阻提高了散热效率。
6. EMI 抑制良好：内置软恢复功能减少了电磁干扰的影响。
这些特性使 SCTH35N65G2V-7AG 成为高功率密度和高效能应用的理想选择。
SCTH35N65G2V-7AG 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 逆变器：用于太阳能发电系统、不间断电源（UPS）和其他需要高效能量转换的应用。
3. 电机驱动：支持高性能无刷直流电机（BLDC）和其他类型的电机控制。
4. 工业自动化设备：如伺服控制器和变频器。
5. 充电器：包括电动汽车充电器和电池充电模块。
由于其高电压和大电流处理能力，SCTH35N65G2V-7AG 在许多需要高压切换和低损耗的场景中表现出色。
SCTH35N65G2V, IRFP460, FDP16N65C
