SCT3105KRC14 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 器件,专为高频、高效能应用而设计。该器件采用 TO-247 封装形式,具有出色的开关性能和低导通电阻特性,适合应用于电源转换器、逆变器以及电机驱动等领域。
碳化硅技术使得 SCT3105KRC14 在高温环境下表现出优异的稳定性和可靠性,同时能够显著降低能量损耗,提高系统效率。
额定电压:1200V
额定电流:8A
导通电阻:6.5mΩ
栅极电荷:90nC
输入电容:1020pF
反向恢复时间:50ns
工作温度范围:-55℃ to +175℃
SCT3105KRC14 的主要特性包括:
1. 高频操作能力,支持高达 1MHz 的开关频率。
2. 超低导通电阻 (Rds(on)),在高电流条件下减少功率损耗。
3. 快速开关速度,有助于降低开关损耗并提升整体效率。
4. 碳化硅材料提供更高的热稳定性和更宽的工作温度范围。
5. 内置反并联二极管,简化电路设计并优化性能。
6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
SCT3105KRC14 在高温和高频应用场景中表现出色,是传统硅基 MOSFET 的理想替代方案。
SCT3105KRC14 广泛应用于以下领域:
1. 太阳能逆变器中的 DC-DC 和 DC-AC 转换。
2. 工业电机驱动和伺服控制。
3. 高效 AC-DC 电源适配器和服务器电源。
4. 电动汽车充电设备及车载充电器。
5. 不间断电源 (UPS) 系统。
6. 无线电力传输和其他高频功率转换应用。
由于其高效的能量转换能力和耐高温性能,SCT3105KRC14 成为许多高性能功率电子系统的首选元器件。
SCT3160KR
SCT3150KR
CSD19531KCS