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SCT3105KRC14 发布时间 时间:2025/4/30 8:54:54 查看 阅读:28

SCT3105KRC14 是一款基于碳化硅 (SiC) 技术的 MOSFET 器件,专为高频、高效能应用而设计。该器件采用 TO-247 封装形式,具有出色的开关性能和低导通电阻特性,适合应用于电源转换器、逆变器以及电机驱动等领域。
  碳化硅技术使得 SCT3105KRC14 在高温环境下表现出优异的稳定性和可靠性,同时能够显著降低能量损耗,提高系统效率。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:8A
  导通电阻:6.5mΩ
  栅极电荷:90nC
  输入电容:1020pF
  反向恢复时间:50ns
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

SCT3105KRC14 的主要特性包括:
  1. 高频操作能力,支持高达 1MHz 的开关频率。
  2. 超低导通电阻 (Rds(on)),在高电流条件下减少功率损耗。
  3. 快速开关速度,有助于降低开关损耗并提升整体效率。
  4. 碳化硅材料提供更高的热稳定性和更宽的工作温度范围。
  5. 内置反并联二极管,简化电路设计并优化性能。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
  SCT3105KRC14 在高温和高频应用场景中表现出色,是传统硅基 MOSFET 的理想替代方案。

应用

SCT3105KRC14 广泛应用于以下领域:
  1. 太阳能逆变器中的 DC-DC 和 DC-AC 转换。
  2. 工业电机驱动和伺服控制。
  3. 高效 AC-DC 电源适配器和服务器电源。
  4. 电动汽车充电设备及车载充电器。
  5. 不间断电源 (UPS) 系统。
  6. 无线电力传输和其他高频功率转换应用。
  由于其高效的能量转换能力和耐高温性能,SCT3105KRC14 成为许多高性能功率电子系统的首选元器件。

替代型号

SCT3160KR
  SCT3150KR
  CSD19531KCS

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SCT3105KRC14参数

  • 现有数量106现货
  • 价格1 : ¥172.99000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss)1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)24A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)137 毫欧 @ 7.6A,18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5.6V @ 3.81mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)51 nC @ 18 V
  • Vgs(最大值)+22V,-4V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)574 pF @ 800 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)134W
  • 工作温度175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247-4L
  • 封装/外壳TO-247-4