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SCT3080KRC14 发布时间 时间:2025/4/29 9:56:28 查看 阅读:1

SCT3080KRC14 是一款基于 SiC(碳化硅)技术的 MOSFET 功率晶体管,适用于高频、高效能开关应用。该器件采用了先进的 SiC 工艺,具有低导通电阻和快速开关性能的特点,适合用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电桩等高功率密度场景。
  与传统硅基 MOSFET 相比,SCT3080KRC14 提供了更高的工作温度范围和更强的耐压能力,同时减少了开关损耗,从而提升了系统的整体效率。

参数

额定电压:1200V
  额定电流:80A
  导通电阻:2.3mΩ(典型值)
  栅极电荷:95nC(最大值)
  输入电容:1060pF
  反向恢复时间:70ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

SCT3080KRC14 的主要特性包括:
  1. 高额定电压(1200V),适合高压环境下的应用。
  2. 极低的导通电阻(2.3mΩ 典型值),能够减少导通状态下的功耗。
  3. 快速开关速度,具备低栅极电荷和短反向恢复时间,降低了开关损耗。
  4. 耐高温性能出色,最高结温可达 175℃,适合恶劣工作条件。
  5. 采用 TO-247 封装形式,便于散热设计和安装。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅材料。

应用

SCT3080KRC14 广泛应用于以下领域:
  1. 工业电源转换系统,如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
  2. 太阳能逆变器,用于提高能量转换效率。
  3. 电动车充电桩,支持大功率充电需求。
  4. 电机驱动器,特别是需要高效率和高频率操作的应用。
  5. 不间断电源(UPS),确保稳定可靠的电力供应。
  6. 高频谐振电路,利用其快速开关特性和低损耗特点。

替代型号

SCT3080KRCP14, SCT3080HRC14

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SCT3080KRC14参数

  • 现有数量720现货
  • 价格1 : ¥136.26000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss)1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)31A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)104 毫欧 @ 10A,18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5.6V @ 5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)60 nC @ 18 V
  • Vgs(最大值)+22V,-4V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)785 pF @ 800 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)165W
  • 工作温度175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247-4L
  • 封装/外壳TO-247-4