时间：2025/9/12 11:34:40
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KPBA-3010SURKMGKC 是一款由KEC Corporation制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用了先进的平面技术，提供了优异的热稳定性和较低的导通电阻。KPBA-3010SURKMGKC适用于各种电源管理设备，包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等。其高可靠性和紧凑的设计使其成为现代电子设备中广泛使用的功率器件之一。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：10A（最大）
漏极-源极电压（VDS）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大26毫欧姆（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：40W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
KPBA-3010SURKMGKC 具备一系列优异的电气和热性能，使其在各种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可以显著减少功率损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力，支持高达10A的连续漏极电流，适合高功率密度的设计。
该器件采用了先进的平面工艺技术，确保了良好的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下可靠运行。其TO-252（DPAK）封装形式不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
KPBA-3010SURKMGKC 还具备良好的栅极电荷特性，有助于减少开关损耗，提高响应速度。其高耐压能力（VDS=30V）和宽泛的工作温度范围使其适用于各种恶劣环境下的应用，如汽车电子、工业电源和便携式设备等。此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种控制电路设计，提升了设计灵活性。
KPBA-3010SURKMGKC 广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC转换器、电池管理系统、负载开关和电机控制电路。由于其高效率和低导通电阻的特性，它特别适合用于高功率密度的电源设计，如笔记本电脑适配器、充电器、服务器电源和工业控制系统。
在汽车电子方面，KPBA-3010SURKMGKC 可用于车载电源转换器、LED照明驱动器和电动工具等应用。其优异的热稳定性和可靠性也使其成为新能源汽车电池管理系统中的理想选择。
此外，该MOSFET还可用于消费类电子产品，如智能家电、智能音箱和无人机等，提供高效的电源管理和开关控制功能。
IRLZ44N、FDP3632、Si4410BDY、AO4406
