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SCT2080KEHRC11 发布时间 时间:2025/12/25 14:09:37 查看 阅读:35

SCT2080KEHRC11是一款由Semtech Corporation生产的高性能、高效率的同步降压型DC-DC转换器芯片,专为需要高效电源管理解决方案的应用而设计。该芯片采用先进的电流模式控制架构,能够在宽输入电压范围内稳定工作,提供精确的输出电压调节和出色的瞬态响应性能。SCT2080KEHRC11集成了多个关键功能,包括内部功率开关、过流保护、过温保护以及软启动功能,从而减少了外部元件数量,简化了电源设计,并提高了系统的整体可靠性。该器件适用于多种便携式设备和工业应用,如电池供电系统、嵌入式控制器、FPGA或ASIC的辅助电源轨等。其紧凑的封装形式和高功率密度特性使其非常适合空间受限的应用场景。此外,SCT2080KEHRC11支持可调频率设置和轻载高效模式,能够根据负载条件自动切换工作模式,以优化能效并延长电池寿命。通过合理的PCB布局和外围元件选择,可以进一步提升其电磁兼容性(EMC)表现,满足严苛的工业标准要求。

参数

型号:SCT2080KEHRC11
  制造商:Semtech Corporation
  拓扑结构:同步降压(Buck)
  输入电压范围:4.5V 至 18V
  输出电压范围:0.8V 至 5.5V(可调)
  最大输出电流:8A
  开关频率:300kHz 至 2MHz(可调)
  控制模式:峰值电流模式控制
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C(结温)
  封装类型:QFN-20(4mm x 4mm)
  集成MOSFET:是(上下管均集成)
  静态电流:约60μA(关断模式)
  工作效率:最高可达95%以上
  保护功能:过流保护(OCP)、过压保护(OVP)、欠压锁定(UVLO)、过温保护(OTP)
  调节方式:外部电阻分压反馈调节输出电压
  轻载效率模式:支持脉冲跳跃模式(PSM)以提高轻载效率

特性

SCT2080KEHRC11具备多项先进特性,使其在同类同步降压转换器中具有显著优势。首先,它采用了高效的集成双MOSFET设计,上管和下管均内置于芯片内部,这不仅大幅减小了整体解决方案的尺寸,还降低了因外部MOSFET选型不当带来的设计风险。其高达8A的持续输出电流能力,配合宽达4.5V至18V的输入电压范围,使其能够适应多种电源输入场景,例如12V系统总线或多节锂电池供电的应用。
  该芯片采用峰值电流模式控制架构,提供快速的瞬态响应能力和良好的环路稳定性,能够在负载突变时迅速调整占空比,维持输出电压的稳定。同时,用户可通过外部电阻设定开关频率在300kHz到2MHz之间,这一灵活性允许设计者避开敏感频段(如AM广播频段),并优化电感和电容的选择,从而平衡效率与EMI性能。
  为了提升轻载效率,SCT2080KEHRC11支持自动进入脉冲跳跃模式(PSM),在此模式下仅在必要时进行开关动作,显著降低静态功耗,特别适合电池供电设备以延长续航时间。芯片还内置完善的保护机制,包括逐周期电流限制、打嗝模式的过流保护、输出过压保护以及热关断功能,在异常工况下有效防止器件损坏。
  此外,其QFN-20小型化封装不仅节省PCB空间,而且具有优良的散热性能,配合适当的散热焊盘设计可实现高效热传导。芯片支持可编程软启动功能,通过外接电容设定启动时间,避免启动过程中产生过大的浪涌电流。整个控制系统对外部元件依赖少,仅需少量无源器件即可构建完整电源方案,极大简化了设计流程并提升了可靠性。

应用

SCT2080KEHRC11广泛应用于对电源效率、尺寸和可靠性有较高要求的电子系统中。典型应用场景包括工业自动化控制系统中的现场仪表、PLC模块和传感器供电单元,这些环境通常面临宽温变化和复杂电磁干扰,而该芯片的高集成度与多重保护机制恰好满足此类需求。
  在通信基础设施领域,该器件可用于为网络交换机、路由器中的FPGA、DSP或微处理器内核提供稳定的低压大电流电源,尤其适合作为中间电源轨(Intermediate Bus Converter)使用。其高效率特性有助于减少热量积聚,提高系统长期运行的稳定性。
  消费类电子产品方面,SCT2080KEHRC11适用于高端便携式设备,如手持测试仪器、智能POS机、无人机飞控系统等,其中电池寿命和电源效率至关重要。其轻载高效模式可显著延长待机时间。
  在医疗电子设备中,由于对电源噪声和可靠性要求极高,该芯片凭借良好的动态响应和低输出纹波表现,可用于为便携式监护仪、血糖仪或其他诊断设备中的精密模拟前端供电。
  此外,汽车电子中的非安全相关子系统,如车载信息娱乐系统(IVI)、ADAS辅助电源模块等,也可采用SCT2080KEHRC11作为次级电源转换器,利用其宽输入电压能力和抗干扰设计保障稳定运行。总之,任何需要将12V或5V母线转换为低电压、大电流电源的场合,都是该芯片的理想应用领域。

替代型号

SCT2080QEHRC11
  TPS54821
  ISL8117IRZ-TK

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SCT2080KEHRC11参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥317.12000管件
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术SiCFET(碳化硅)
  • 漏源电压(Vdss)1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)40A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)117 毫欧 @ 10A,18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 4.4mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)106 nC @ 18 V
  • Vgs(最大值)+22V,-6V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2080 pF @ 800 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)-
  • 工作温度175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247N
  • 封装/外壳TO-247-3